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電子傳輸超低損耗:科學家研制新型2D拓補絕緣體材料

發(fā)布:cyqdesign 2017-07-11 16:21 閱讀:1387
近年來,有關二維物質(zhì)的研究發(fā)現(xiàn)有爆發(fā)的趨勢。幾乎每隔一段時間,就有科學家宣布某種突破或應用,比如經(jīng)常搶占頭條的石墨烯。不過德國維爾茨堡大學的研究人員們,則開發(fā)出了另一種超薄材料 —— bismuthene 。它是一種特殊的材料組合,即在碳化硅基底上,沉積單層鉍原子。而它的特性,可帶來計算和數(shù)據(jù)傳輸上的進步,因其在電子搬運上有很高的效率。 4Ynv=G Qz  
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Bismuthene 電子傳導渠道示意圖
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該物質(zhì)被歸為“拓補絕緣體”一類的材料,內(nèi)部絕緣、但表面導電(量子效應)。材料中的傳導渠道可防止自旋散射,從而減少電子損耗。 yU]NgG=z:-  
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唯一的問題是,它們通常只能在 -270℃ 的溫度下良好工作,這種限制使得其在電子設備等領域的應用變得不切實際。 D#R5G   
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