6月21日，“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)(02專(zhuān)項(xiàng))實(shí)施管理辦公室組織專(zhuān)家在中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所召開(kāi)了“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”項(xiàng)目驗(yàn)收會(huì)。評(píng)審專(zhuān)家組充分肯定了項(xiàng)目取得的一系列成果，一致同意項(xiàng)目通過(guò)驗(yàn)收，認(rèn)為該項(xiàng)目的順利實(shí)施將我國(guó)極紫外光刻技術(shù)研發(fā)向前推進(jìn)了重要一步。 i-$]Tg  
r@ ]{`qA  
　　極紫外（Extreme Ultraviolet，EUV）光刻是一種采用波長(zhǎng)13.5nm極紫外光為工作波長(zhǎng)的投影光刻技術(shù)，是傳統(tǒng)光刻技術(shù)向更短波長(zhǎng)的合理延伸。作為下一代光刻技術(shù)，被行業(yè)賦予拯救摩爾定律的使命。極紫外光刻光學(xué)技術(shù)代表了當(dāng)前應(yīng)用光學(xué)發(fā)展最高水平，作為前瞻性EUV光刻關(guān)鍵技術(shù)研究，項(xiàng)目指標(biāo)要求高，技術(shù)難度大、瓶頸多，創(chuàng)新性高，同時(shí)國(guó)外技術(shù)封鎖嚴(yán)重。 zXB.)4T  

|iU#!+zY  
　　長(zhǎng)春光機(jī)所自上世紀(jì)九十年代起專(zhuān)注于EUV/X射線(xiàn)成像技術(shù)研究，著重開(kāi)展了EUV光源、超光滑拋光技術(shù)、EUV多層膜及相關(guān)EUV成像技術(shù)研究，形成了極紫外光學(xué)的應(yīng)用技術(shù)基礎(chǔ)。2002年，研制國(guó)內(nèi)第一套EUV光刻原理裝置，實(shí)現(xiàn)了EUV光刻的原理性貫通。2008年國(guó)家“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”科技重大專(zhuān)項(xiàng)將EUV光刻技術(shù)列為“32-22nm裝備技術(shù)前瞻性研究”重要攻關(guān)任務(wù)。長(zhǎng)春光機(jī)所作為牽頭單位承擔(dān)起了“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”項(xiàng)目研究工作，成員包括中科院光電技術(shù)研究所、中科院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所、中科院微電子研究所、北京理工大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、華中科技大學(xué)。 xG
N&RjPk\  
[W` _`  
　　項(xiàng)目研究團(tuán)隊(duì)歷經(jīng)八年的潛心鉆研，突破了制約我國(guó)極紫外光刻發(fā)展的超高精度非球面加工與檢測(cè)、極紫外多層膜、投影物鏡系統(tǒng)集成測(cè)試等核心單元技術(shù)，成功研制了波像差優(yōu)于0.75 nm RMS 的兩鏡EUV 光刻物鏡系統(tǒng)，構(gòu)建了EUV 光刻曝光裝置，國(guó)內(nèi)首次獲得EUV 投影光刻32 nm 線(xiàn)寬的光刻膠曝光圖形。建立了較為完善的曝光光學(xué)系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)平臺(tái)，圓滿(mǎn)完成國(guó)家重大專(zhuān)項(xiàng)部署的研究?jī)?nèi)容與任務(wù)目標(biāo)，實(shí)現(xiàn)EUV 光學(xué)成像技術(shù)跨越，顯著提升了我國(guó)極紫外光刻核心光學(xué)技術(shù)水平。同時(shí)，項(xiàng)目的實(shí)施形成了一支穩(wěn)定的研究團(tuán)隊(duì)，為我國(guó)能夠在下一代光刻技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)可持續(xù)發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)的技術(shù)與人才基礎(chǔ)。 -(P"+g3T  
Y2}\~I0  
　　驗(yàn)收會(huì)上，長(zhǎng)春光機(jī)所所長(zhǎng)賈平誠(chéng)摯地感謝了與會(huì)專(zhuān)家及各合作單位對(duì)項(xiàng)目的大力支持。賈平指出從時(shí)機(jī)及技術(shù)難度方面考慮，EUV項(xiàng)目的布局正處于窗口期，希望國(guó)家給予持續(xù)穩(wěn)定的支持。鼓勵(lì)項(xiàng)目參研單位進(jìn)一步發(fā)揮EUV學(xué)科優(yōu)勢(shì)，鼓足勇氣并肩奮斗，在后續(xù)支持下取得更好的成果。 \G2&   
{qK>A?
9  
　　02專(zhuān)項(xiàng)總體組技術(shù)總師、中科院微電子所所長(zhǎng)葉甜春做總結(jié)發(fā)言。葉甜春強(qiáng)調(diào)，在國(guó)際上EUV光刻大生產(chǎn)基地已經(jīng)建立的形勢(shì)下，我國(guó)EUV光刻研究要繼續(xù)堅(jiān)持下去，面向未來(lái)產(chǎn)業(yè)工程化需求，著力點(diǎn)要放在必須掌握的核心技術(shù)和有可能取得創(chuàng)新的突破點(diǎn)。此外，葉甜春評(píng)價(jià)光刻機(jī)隊(duì)伍是承擔(dān)最核心、最高端、最艱巨任務(wù)的隊(duì)伍，也是專(zhuān)項(xiàng)團(tuán)隊(duì)中最有戰(zhàn)斗力、最能抗壓、最值得信任的主力部隊(duì)。鼓勵(lì)項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)肩負(fù)重大任務(wù)的責(zé)任與使命感，繼續(xù)堅(jiān)持勇攀高峰。 A^xDAxk  
}k$2r3  
　　02專(zhuān)項(xiàng)光刻機(jī)工程指揮部總指揮、前科技部副部長(zhǎng)曹健林到會(huì)并致辭。作為國(guó)內(nèi)最熟悉EUV光刻的領(lǐng)域?qū)＜�，曹健林�?duì)我國(guó)EUV光刻技術(shù)能力的提升感到欣喜，他認(rèn)為中國(guó)已初步具備光刻技術(shù)的研發(fā)能力，并向著產(chǎn)業(yè)化目標(biāo)前進(jìn)，30年前的“中國(guó)光刻夢(mèng)”正在逐步變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)，通過(guò)我國(guó)光刻技術(shù)研發(fā)能力的建設(shè)初步樹(shù)立了堅(jiān)持“中國(guó)光刻夢(mèng)”的信心。