圖一：同一傘從上到下的反射數(shù)據(jù)。不知道主要問題在哪里？ gLv+L]BnhH  
   謝謝各位�。� SF:98#pg  
  圖二：是與圖二同一臺機(jī)鍍的另外一個工藝（除膜厚外，其他條件是一樣的）的反射數(shù)據(jù)。 {:gx*4}q8  
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圖片:A5254BD4984F47E3B7FB814F3297C810.jpg

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        圖一是7層  LHLHLHL       H4\SIO2      9xK>fM&u  
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圖片:9CAEB8CFAB0D98EAB544F93840406934.jpg

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      圖二是 5層   LHLHL             H4\SIO2   )4ek!G]Rb  
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均勻性問題，建議使用修正板 eQ[akVMk  

ysc212:均勻性問題，建議使用修正板 \Nik`v*Pd  
 (2017-06-20 09:34)  %. ((4 6)  

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&1EOQ=N  
恩   但是第二張圖只是膜厚層數(shù)不同，差異就沒有第一個大。是不是第一個膜系里面有些敏感層。謝謝回復(fù)。

個人感覺是膜層敏感度的原因，特別是光控進(jìn)行鍍膜時更容易發(fā)生這種現(xiàn)象

yzhuang:個人感覺是膜層敏感度的原因，特別是光控進(jìn)行鍍膜時更容易發(fā)生這種現(xiàn)象 (2017-06-27 11:20)  lh0G/8+C  

3Qv9=q|[b  
我用的晶控，同樣的修正版 膜料 鍍出來的差異太大了，SIO2  H4是同一個修正板。

R8% u9o  
我建議你做一下圖一的重復(fù)性，如果每爐差，但是情況不一樣，那么是你的敏感層是H4，要么膜系結(jié)構(gòu)優(yōu)化一下，（圖2是單峰結(jié)構(gòu)，敏感度沒那么高）要么控制H4的預(yù)熔與充氧量； !vr A\d  
}D~m%%,  
如果每爐都這樣，那肯定是均勻性沒做好，有條件的話  高低折射率的mask單獨修一下； |<YF.7r;  
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另外，SIO2的分布比一般的氧化物要差一點，可以選好一點的SIO2 IxlPpS9Wx  
H'2o84$  

這很清楚的。 J:;nN-\j  
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若與圖一使用之MASK為同支， Zvz}Z8jW  
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圖二看起來均勻性O(shè)K，即表示MASK為好的。 F.R0c@&W  
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至於圖一為什麼會這樣? 我認(rèn)為是敏感層問題(薄層) X`}4=>  
"FfP&lF/  
若想重複確認(rèn)，可以鍍單一材料來看看他的5Q，答案即可得知。

均勻性的問題。。。。。影響均勻性的素較多

fly6947:我建議你做一下圖一的重復(fù)性，如果每爐差，但是情況不一樣，那么是你的敏感層是H4，要么膜系結(jié)構(gòu)優(yōu)化一下，（圖2是單峰結(jié)構(gòu)，敏感度沒那么高）要么控制H4的預(yù)熔與充氧量；
如果每爐都這樣，那肯定是均勻性沒做好，有條件的話  高低折射率的mask單獨修一下；
....... (2017-06-29 08:46)  5oIgxy  

5U&?P  
好的   ，謝謝指導(dǎo)。我回頭試試。

johnyu:這很清楚的。
若與圖一使用之MASK為同支，
圖二看起來均勻性O(shè)K，即表示MASK為好的。 {~ngI<  
....... (2017-07-03 17:36)  _%HyXd  

lU<n Wf  
好的   ，謝謝指導(dǎo)。我也覺得單層有薄層敏感度高的。很均勻的差別。