大家好，最近在鍍時(shí)用TFCalc模擬的結(jié)果如下，Stack: (HL)^10 L (HL)^10，H: Si3N4，L: SiO2，其中高、低折射率材料是用的實(shí)際鍍膜后實(shí)際測(cè)試的折射率參數(shù)，應(yīng)該比較真實(shí)吧。 xvOGE]n  

圖片:simulation.jpg

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但測(cè)試結(jié)果如下，除了透射峰的位置不準(zhǔn)確外，透射峰基本上沒有了，為什么結(jié)果很差。我一直認(rèn)為是吸收太大所致，但模擬時(shí)采用的是真實(shí)測(cè)量的n、k值，多層膜吸收已經(jīng)考慮之后進(jìn)行的模擬，請(qǐng)大家?guī)兔Ψ治鲆幌�，非常感謝！ Fw? ;Y%  

圖片:Test result.jpg

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希望有相關(guān)經(jīng)驗(yàn)的朋友不吝賜教，非常感謝！

都是大神

公差太大。SIO2整體對(duì)比于Si3N4隨便多走1%或者少走1%。透射峰都會(huì)被沖掉。至于透射峰位置不準(zhǔn)確就是整體膜系都走多了（整體都能誤差到這個(gè)地位，何況精度要求幾納米的波峰 ）。而且出射介質(zhì)個(gè)人用的是就是基底。樓主用的是空氣�？赡芙坛炭吹牟灰粯�。 q@K8,=/.#  
對(duì)比于模擬與實(shí)際，樓主選用的NK是沒問題的。 zN}1Qh