日本東曹公司通過向透明導電薄膜用的氧化鋅摻雜鋁，開發(fā)出"ZAO"靶材，并已開始供應(yīng)樣品。該材料有望替代ITO（氧化銦錫）靶材，用于液晶顯示器TFT（薄膜晶體管）的像素電極、TN（扭曲向列）液晶和太陽能電池。已制成可用于TFT的膜厚為100nm、電阻率為10－4Ωcm的ZAO透明導電薄膜。 MI~QXy,  
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該公司在80年代后期就開發(fā)了摻雜鋁的氧化鋅靶材，并獲取專利。但是，由于不能獲得低于ITO的電阻率，且當時銦的供應(yīng)比較充足，因此該技術(shù)一直沒有實際應(yīng)用。直到2003年以后，銦價上漲，市場迫切需要ITO替代材料，才促使該公司對原來的技術(shù)進行改進，開發(fā)出ZAO靶材。該技術(shù)可提供不用更換現(xiàn)有LCD生產(chǎn)線設(shè)備就能使用的材料。 m~F ~9&  
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ZAO靶材的制造方法是將氧化鋅粉末和鋁粉末混合，然后進行成型、燒結(jié)、加工、粘結(jié)。除原料外其他工藝與制造ITO靶材相同。靶材尺寸也與ITO相同。 4thPR}DH}  
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提高基板溫度，ZAO透明導電薄膜的電阻率、載流子密度、孔穴遷移等特性也會提高。但與ITO透明導電薄膜相比，電阻率仍較高。 o_