2014年8月底，三星
電子宣布量產(chǎn)全球第一款采用3D TSV立體硅穿孔
封裝技術(shù)打造的DDR4內(nèi)存條，單條容量高達(dá)64GB。一年多后，三星將這一容量翻了一番，開始量產(chǎn)128GB TSV DDR4內(nèi)存條。新
內(nèi)存依然是面向企業(yè)級服務(wù)器市場的RDIMM類型條子，使用了多達(dá)144顆DDR4內(nèi)
芯片，每一顆容量1GB，然后每四顆芯片利用TSV技術(shù)緊密封裝在一起，總計36個組，分布在內(nèi)存條兩側(cè)。
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