美國(guó)威斯康星大學(xué)麥迪遜分校的科學(xué)家日前在碳納米管晶體管制造技術(shù)上獲得了一項(xiàng)突破。由其開(kāi)發(fā)出的新型高性能碳納米管晶體管成功突破了純度和陣列控制兩大難題，在開(kāi)關(guān)速度上獲得了比普通硅晶體管快1000倍，比此前最快的碳納米管晶體管快100倍的成績(jī)。碳納米管晶體管向正式商用邁出了關(guān)鍵一步。相關(guān)論文發(fā)表在《美國(guó)化學(xué)學(xué)會(huì)·納米》雜志上。 tP(h9|[
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碳納米管是將單層的碳原子薄片卷起形成的管狀材料，作為一種半導(dǎo)體材料，碳納米管有很多優(yōu)于硅的天然屬性，其中的電子可以比硅晶體管更輕松地轉(zhuǎn)移，實(shí)現(xiàn)更快速的數(shù)據(jù)傳輸，很早就被認(rèn)為是制造下一代晶體管的理想材料。此外，這種材料還具備很好的強(qiáng)度和柔性，可以用來(lái)制造柔性顯示器和電子設(shè)備，經(jīng)得起拉伸與彎曲，讓電子設(shè)備能夠集成到衣服或其他可穿戴設(shè)備上。 1W,(\'^R  
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然而，制造高性能的碳納米管晶體管面臨著兩大技術(shù)難題。一是要達(dá)到極高的純度，因?yàn)樘技{米管中的金屬雜質(zhì)會(huì)像銅線一樣導(dǎo)致設(shè)備短路，只有高純度才能獲得高效率；二是精度極高的陣列控制，要將數(shù)量眾多的碳納米管塞進(jìn)指甲蓋大小的芯片就必須精確地控制好各個(gè)碳納米管之間的距離。 AEg(m<t  
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在新的研究中，威斯康星大學(xué)麥迪遜分校材料學(xué)副教授邁克爾·阿諾德和帕德瑪·高普蘭教授領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)成功突破了這兩個(gè)難關(guān)。憑借在碳納米管領(lǐng)域二十多年的積累，他們使用聚合體篩選技術(shù)找到了制造高純度碳納米管半導(dǎo)體的解決方案。而后又用一種被稱為“浮動(dòng)蒸發(fā)自組裝（FESA）”的技術(shù)解決了碳納米管的陣列問(wèn)題。 K1q+~4>\|  
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物理學(xué)家組織網(wǎng)1月15日?qǐng)?bào)道稱，先前的技術(shù)精度控制較差，碳納米管填充的密度要么過(guò)于稀少，要么太過(guò)緊密。威斯康星大學(xué)麥迪遜分校的研究人員通過(guò)對(duì)碳納米管溶液的快速蒸發(fā)觸發(fā)其自組裝現(xiàn)象，讓這一問(wèn)題迎刃而解。該團(tuán)隊(duì)曾在2014年美國(guó)化學(xué)學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)期刊《朗繆爾》上對(duì)該技術(shù)進(jìn)行過(guò)介紹。 q,l)I+  
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阿諾德說(shuō)：“這不是一次簡(jiǎn)單的改進(jìn)。有了這些成果，我們讓碳納米管晶體管技術(shù)得到了飛躍式的發(fā)展。新型碳納米管在性能上遠(yuǎn)優(yōu)于目前工業(yè)上所使用的薄膜晶體管。最新的進(jìn)步讓碳納米管晶體管取代硅芯片成為了可能，而后者在尺寸和性能上已經(jīng)達(dá)到了極限。除了為新一代消費(fèi)類電子產(chǎn)品鋪路，這項(xiàng)技術(shù)也可能在工業(yè)以及軍事上獲得應(yīng)用�！� r`M6!}oa  
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據(jù)悉，阿諾德的團(tuán)隊(duì)已經(jīng)通過(guò)威斯康星大學(xué)校友研究基金會(huì)為該技術(shù)申請(qǐng)了專利，并與一些企業(yè)進(jìn)行了接觸。