在利用太陽能進行水分解的過程中，用于光吸收的材料（如硅、砷化鎵）很容易受到水溶液的腐蝕而喪失原有功能。加州理工學(xué)院人工光合作用聯(lián)合中心（JCAP）的研究人員近日宣布開發(fā)出一種方法，能夠保護用于光吸收的半導(dǎo)體材料。 +X*`}-3  
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研究人員使用原子層沉積方法在單晶硅、砷化鎵或磷化鎵表面形成一層TiO2膜。其關(guān)鍵在于，這種TiO2是能夠漏電的，這種“漏電TiO2”膜的厚度為4~143納米之間，它能夠在保持透明的前提下，保護半導(dǎo)體免受水溶液的腐蝕。 4nl>&A
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