據(jù)美國(guó)每日科學(xué)網(wǎng)站近日?qǐng)?bào)道，美國(guó)科學(xué)家首次利用納米尺度的絕緣體氮化硼以及金量子點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)量子隧穿效應(yīng)，制造出了沒(méi)有半導(dǎo)體的晶體管。該成果有望開(kāi)啟新的電子設(shè)備時(shí)代。 V[-jD8='3  
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幾十年來(lái)，電子設(shè)備變得越來(lái)越小，科學(xué)家們現(xiàn)已能將數(shù)百萬(wàn)個(gè)半導(dǎo)體集成在單個(gè)硅芯片上。該研究的領(lǐng)導(dǎo)者、密歇根理工大學(xué)的物理學(xué)家葉躍進(jìn)（音譯）表示：“以目前的技術(shù)發(fā)展形勢(shì)看，10年到20年間，這種晶體管不可能變得更小。半導(dǎo)體還有另一個(gè)先天不足，即會(huì)以熱的形式浪費(fèi)大量能源。” it]