本論文圍繞本實驗室研發(fā)的新型隧道再生多有源區(qū)98n0mAIGaA/sGaA/sInGaAS量子阱大功率半導體激光器和多種條寬的單有源區(qū)98Onm AIGaAsG/aAs/InGaAs量子阱大功率半導體激光器的光場外特性、單模階躍折射率光纖和多模漸變折射率光纖的模場特性進行了深入的理論分析和實驗研究。由于大功率GaAS半導體激光器的條形電極寬度較大，光束的縱橫比很高，而且由于多采用脊形波導結構，在側面采用增益引導機制為主，在垂直于結平面是折射率引導機制，使得LD的激射光束在LD光腔內呈柱面波的形式傳播。從LD的光外部特性來看，光束截面不但是非對稱的、橢圓形光斑，而且在垂直和水平方向上光束束腰不在同一平面上，垂直光腰位于LD的出光面(解理面上)，而水平光腰則在LD腔內，即“虛光腰”。因此LD的激射光束存在像散。對該光束作高斯近似，并假設LD激射后水平出光面上光斑的大小不隨LD驅動電流的變化而改變，通過測量光束的遠場發(fā)散角經過計算獲得了虛光腰位置和尺寸。
