LED制作流程分為兩大部分。首先在襯低上制作氮化鎵（GaN）基的外延片，這個過程主要是在金屬有機化學(xué)氣相沉積外延爐中完成的。準(zhǔn)備好制作 GaN 基外延片所需的材料源和各種高純的氣體之后，按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。常用的襯底主要有藍寶石、碳化硅和硅襯底，還有 GaAs、AlN、ZnO 等材料。MOCVD 是利用氣相反應(yīng)物（前驅(qū)物）及Ⅲ族的有機金屬和Ⅴ族的 NH3 在襯底表面進行反應(yīng)，將所需的產(chǎn)物沉積在襯底表面。通過控制溫度、壓力、反應(yīng)物濃度和種類比例，從而控制鍍膜成分、晶相等品質(zhì)。 MOCVD h8M}}   
外延爐是制作 LED外延片最常用的設(shè)備。 Gl{2"!mt=  
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接下來是對 LED PN結(jié)的兩個電極進行加工，電極加工也是制作 LED芯片的關(guān)鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨；然后對 LED毛 片進行劃片、測試和分選，就可以得到所需的 LED 芯片。如果晶片清洗不夠干凈，蒸鍍系統(tǒng)不正常，會導(dǎo)致蒸鍍出來的金屬層（指蝕刻后的電極）會有脫落，金屬層外觀變色，金泡等異常。蒸鍍過程中有時需用彈簧夾固定晶片，因此會產(chǎn)生夾痕（在目檢必須挑除）。黃光作業(yè)內(nèi)容包括烘烤、上光阻、照相曝光、顯影等，若顯影不完全及光罩有破洞會有發(fā)光區(qū)殘多出金屬。晶片在前段制程中，各項制程如清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨等作業(yè)都必須使用鑷子及花籃、載具等，因此會有晶粒電極刮傷情形發(fā)生。 Ls|)SiXrY  

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