（Applied Multilayers LLC )AML 公司開發(fā)出了領(lǐng)先的高性能光學(xué)薄膜沉積技術(shù)——閉磁場反應(yīng)磁控濺射技術(shù)Closed Field Magnetron (CFM) reactive sputtering。 該技術(shù)克服了現(xiàn)有磁控濺射技術(shù)的膜層應(yīng)力大，沉積速率低等缺點。高離子束密度和低內(nèi)應(yīng)力，可在高沉積速率條件下，制備性能極佳的精密光學(xué)薄膜。在未來5-10年，該技術(shù)在光學(xué)薄膜制備技術(shù)中很可能占有主導(dǎo)地位，具有廣闊的應(yīng)用前景。 m! 3e>cI  
Closed Field Magnetron （CFM）技術(shù)1991年由英國學(xué)者Teer首先提出，其基本原理為(見下圖)：由極性相反的多組磁鐵構(gòu)成相鄰的磁控管，這種構(gòu)造使磁力線可以從一個磁控管延伸到另外一個磁控管，形成閉合的磁阱。這樣可以有效阻止電子逃逸，形成增強(qiáng)等離子體，從而提供濺射效率和離化率。該技術(shù)首先應(yīng)用于超硬涂層的制備，主要目的是在磁控濺射離子鍍中增加離子束密度。該技術(shù)主要利用非平衡磁控技術(shù)，將基片包裹在閉合磁力線所構(gòu)成的磁場區(qū)域內(nèi)，將磁控濺射的優(yōu)點（源為大面積源，成膜速率高，有利于薄膜厚度均勻性）和離子鍍的過程的優(yōu)點（能改變膜基界面之間的結(jié)合力，提供膜基附著力，膜層組織致密等）結(jié)合在一起，形成全新的鍍膜技術(shù)。
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AML  公司D.R.Gibson 博士發(fā)展了該技術(shù)，把該技術(shù)應(yīng)用在光學(xué)，光伏等領(lǐng)域。AML 閉磁場反應(yīng)磁控濺射鍍膜機(jī)：專門用于沉積單層和多層精密光學(xué)薄膜。相對于傳統(tǒng)的直流磁控濺射技術(shù)，閉磁場反應(yīng)磁控濺射具有的優(yōu)勢： CBVL/pxy  
1）不在需要用于的激活的單獨離子源或等離子體源； ZSUbPz  
2）也不需要將真空室通過真空泵或障板分離成沉積區(qū)和反應(yīng)區(qū)； ==?!z<I.d  
3）基底周圍能充分氧化，不在需要后期退火處理，減少對氧氣分壓的依賴； KH~o0 W