本報訊據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)7月24日報道，美國科學(xué)家研發(fā)出了一種新方法，改變了半導(dǎo)體的三維結(jié)構(gòu)，使其在保持電學(xué)特性的同時擁有了新的光學(xué)性質(zhì)，并據(jù)此研制出了首塊光學(xué)電學(xué)性能都很活躍的新型光子晶體，為以后研制出新式太陽能電池、激光器、超材料等打開了大門。研究發(fā)表在最新一期《自然·材料學(xué)》雜志上。 rT_J6F5J  
　　光子晶體材料具有獨特的物理結(jié)構(gòu)，它能采用不同于傳統(tǒng)光學(xué)材料和設(shè)備的特殊方式誘發(fā)非同尋常的現(xiàn)象并影響光子的行為，可廣泛應(yīng)用于激光器、太陽能設(shè)備、超材料等中。之前由科學(xué)家們研制出的光子晶體只能得到用光學(xué)方法激活的設(shè)備，這些設(shè)備能引導(dǎo)光，但無法被電所激活，因此，其無法將電變成光或相反。 `*",_RO;  
　　伊利諾斯大學(xué)材料科學(xué)和工程學(xué)教授保羅·布勞恩領(lǐng)導(dǎo)的科研團(tuán)隊研制出的最新光子晶體卻兼具光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)。該研究的參與者埃里克·尼爾森解釋道，新光子晶體可以讓光學(xué)和電學(xué)性能同時達(dá)到最優(yōu)化，這就使人們能更好地控制光的散射、吸收以及增強(qiáng)。 P
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　　為了制造出該三維光子晶體，科學(xué)家們先讓一些細(xì)小的球簇?fù)碓谝黄鹦纬梢粔K模板，接著，他們將一種廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體中的材料砷化鎵（GaAs）沉積在模板上，讓砷化鎵通過模板填充球之間的縫隙。 p^k*[3$0  
　　砷化鎵作為單個晶體開始從下往上生長，這個過程被稱作外延生長技術(shù)，工業(yè)界一般使用該技術(shù)來制造平的、二維的單晶體半導(dǎo)體薄膜，但布勞恩團(tuán)隊卻對這種技術(shù)進(jìn)行了升級改造，用來制造錯綜復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)。 lk.Mc6)  
　　這種自下而上的外延生長技術(shù)消除了制造三維光子結(jié)構(gòu)普遍采用的自上而下構(gòu)造方法可能導(dǎo)致的很多缺陷。另一個好處是，它讓制造出層層堆積而成的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)變得更方便。例如，可以通過先用砷化鎵部分填充該模板，再用另一種材料填滿，從而將一個量子勢阱層引入光子晶體中。 ~,7Tj