目前國內(nèi)的功率半導(dǎo)體的現(xiàn)狀到底如何，和國外比較還有什么差距。為了更好的解答，半個月來，筆者和相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)、業(yè)內(nèi)專家、業(yè)界人士進(jìn)行了交流，本博文將就國內(nèi)的功率半導(dǎo)體的現(xiàn)狀到底如何分析如下。 jbMzcn~ehI  
;~tKNytD`B  
應(yīng)該說，在中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中，半導(dǎo)體分立器件的作用長期以來都沒有引起人們足夠的重視，政府的投入也很少，發(fā)展速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)滯后于集成電路。 u=p([ 5]  
o%RyE]pw,  
國內(nèi)分立器件廠商的主要產(chǎn)品以硅基二極管、三極管和晶閘管為主，目前國際功率半導(dǎo)體器件的主流主品功率MOS器件只是近年來才有所涉及，且主要為平面柵結(jié)構(gòu)的VDMOS器件，IGBT還處于研發(fā)階段。寬禁帶半導(dǎo)體器件主要是以微波功率器件（SiCMESFET和GaNHEMT）為主，尚未有針對市場應(yīng)用的寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品器件的產(chǎn)品研發(fā)。 Y{f;qbEQH'  
X3<<f`X  
從功率半導(dǎo)體的產(chǎn)品分類來說 JY4 +MApN  
5 ,q