隨著技術(shù)的發(fā)展，LED的效率有了非常大的進(jìn)步。在不久的未來LED會(huì)代替現(xiàn)有的照明燈泡。近幾年人們制造LED晶粒/芯片過程中首先在襯底上制作氮化鎵（GaN）基的晶圓(外延片)，晶圓所需的材料源(碳化硅SiC)和各種高純的氣體如氫氣H2或氬氣Ar等惰性氣體作為載體之后，按照制程的要求就可以逐步把晶圓做好。接下來是對(duì)LED-PN結(jié)的兩個(gè)電極進(jìn)行加工，并對(duì)LED毛片進(jìn)行減薄，劃片。然后對(duì)毛片進(jìn)行測(cè)試和分選，就可以得到所需的LED晶粒。具體的工藝做法，不作詳細(xì)的說明。 hrNB"W|?x  
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下面簡(jiǎn)單介紹一下LED芯片生產(chǎn)流程圖： oyB gF\  
總的來說，LED制作流程分為兩大部分： JDJ"D\85  
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首先在襯低上制作氮化鎵（GaN）基的晶圓，這個(gè)過程主要是在金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積晶圓爐(MOCVD)中完成的。準(zhǔn)備好制作GaN基晶圓所需的材料源和各種高純的氣體之后，按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。常用的襯底主要有藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底，還有GaAs、AlN、ZnO等材料。 D@2L<!\  
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