1）采用大面積芯片封裝 7,)E1dx -V  
M|nLD+d~8  
　　用1x1 mm2的大尺寸芯片取代現(xiàn)有的0.3 x0.3 mm2的小芯片封裝，在芯片注入電流密度不能大幅度提高的情況下，是一種主要的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。 N_G&nw  
kNP-+o  
2）芯片倒裝技術(shù) 27}:f?2hbJ  
r'ilJ("  
　　解決電極擋光和藍(lán)寶石不良散熱問題，從藍(lán)寶石襯底面出光。在p電極上做上厚層的銀反射器，然后通過電極凸點(diǎn)與基座上的凸點(diǎn)鍵合�；�座用散熱良好的Si材料制得，并在上面做好防靜電電路。根據(jù)美國(guó)Lumileds公司的結(jié)果，芯片倒裝約增加出光效率1.6倍。芯片散熱能力也得到大幅改善，采用倒裝技術(shù)后的大功率發(fā)光二極管的熱阻可低到12～15℃/W。 PE.UNo>o  
@l3&vt2=J  
3）金屬鍵合技術(shù) HRTNIx  
rvx2{1}I  
　　這是一種廉價(jià)而有效的制作功率LED的方式。主要是采用金屬與金屬或者金屬與硅片的鍵合技術(shù)，采用導(dǎo)熱良好的硅片取代原有的GaAs或藍(lán)寶石襯底，金屬鍵合型LED具有較強(qiáng)的熱耗散能力。 ^/%o I;O{  
4）開發(fā)大功率紫外光LED ]prw=rD  
rHk(@T.]  
　　UV LED配上三色熒光粉提供了另一個(gè)方向，白光色溫穩(wěn)定性較好，使其在許多高品質(zhì)需求的應(yīng)用場(chǎng)合（如節(jié)能臺(tái)燈）中得到應(yīng)用。這樣的技術(shù)雖然有種種的優(yōu)點(diǎn)，但仍有相當(dāng)?shù)募夹g(shù)難度，這些困難包括配合熒光粉紫外光波長(zhǎng)的選擇、UV LED制作的難度及抗UV封裝材料的開發(fā)等等。 e'
~Qe_  
#0)TS  
5）開發(fā)新的熒光粉和涂敷工藝 vJr,lBHEk  
JQLQS  
　　熒光粉質(zhì)量和涂敷工藝是確保白光LED質(zhì)量的關(guān)鍵。熒光粉的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)是開發(fā)納米晶體熒光粉、表面包覆熒光粉技術(shù)，在涂布工藝方面發(fā)展熒光粉均勻的熒光板技術(shù)，將熒光粉與封裝材料混合技術(shù)。 Y"ta`+VJ  
<e&v[  
6）開發(fā)新的封裝材料 xJ#O|7N  
;\"5)S  
　　開發(fā)新的安裝在LED芯片的底板上的高導(dǎo)熱率的材料，從而使LED芯片的工作電流密度約提高5～10倍。就目前的趨勢(shì)看來，金屬基座材料的選擇主要是以高熱傳導(dǎo)系數(shù)的材料為組成，如鋁、銅甚至陶瓷材料等，但這些材料與芯片間的熱膨脹系數(shù)差異甚大，若將其直接接觸很可能因?yàn)樵跍囟壬�高時(shí)材料間產(chǎn)生的應(yīng)力而造成可靠性的問題，所以一般都會(huì)在材料間加上兼具傳導(dǎo)系數(shù)及膨脹系數(shù)的中間材料作為間隔。 N9ipw