1）采用大面積芯片封裝 q6$6:L,<  
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　　用1x1 mm2的大尺寸芯片取代現(xiàn)有的0.3 x0.3 mm2的小芯片封裝，在芯片注入電流密度不能大幅度提高的情況下，是一種主要的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。 r9u'+$vmF  
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2）芯片倒裝技術(shù) ;kZD>G
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　　解決電極擋光和藍(lán)寶石不良散熱問(wèn)題，從藍(lán)寶石襯底面出光。在p電極上做上厚層的銀反射器，然后通過(guò)電極凸點(diǎn)與基座上的凸點(diǎn)鍵合�；�座用散熱良好的Si材料制得，并在上面做好防靜電電路。根據(jù)美國(guó)Lumileds公司的結(jié)果，芯片倒裝約增加出光效率1.6倍。芯片散熱能力也得到大幅改善，采用倒裝技術(shù)后的大功率發(fā)光二極管的熱阻可低到12～15℃/W。 Y=<ABtertS  
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3）金屬鍵合技術(shù) iUh7eR9  
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　　這是一種廉價(jià)而有效的制作功率LED的方式。主要是采用金屬與金屬或者金屬與硅片的鍵合技術(shù)，采用導(dǎo)熱良好的硅片取代原有的GaAs或藍(lán)寶石襯底，金屬鍵合型LED具有較強(qiáng)的熱耗散能力。 !gRU;ZQU_  
4）開(kāi)發(fā)大功率紫外光LED lshSRir  
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