1）采用大面積芯片封裝
( $2M"n *($,ay$&H 用1x1 mm2的大尺寸芯片取代現(xiàn)有的0.3 x0.3 mm2的小芯片封裝，在芯片注入電流密度不能大幅度提高的情況下，是一種主要的技術(shù)發(fā)展趨勢。
G9LWnyQt {FKr^)g 2）芯片倒裝技術(shù)
l~f3J$OkJ GD]epr%V 解決電極擋光和藍(lán)寶石不良散熱問題，從藍(lán)寶石襯底面出光。在p電極上做上厚層的銀反射器，然后通過電極凸點(diǎn)與基座上的凸點(diǎn)鍵合。基座用散熱良好的Si材料制得，并在上面做好防靜電電路。根據(jù)美國Lumileds公司的結(jié)果，芯片倒裝約增加出光效率1.6倍。芯片散熱能力也得到大幅改善，采用倒裝技術(shù)后的大功率發(fā)光二極管的熱阻可低到12～15℃/W。
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l ?d j~K(xf 3）金屬鍵合技術(shù)
Qg ~ w 3~ z GyRz xFN 這是一種廉價(jià)而有效的制作功率
LED的方式。主要是采用金屬與金屬或者金屬與硅片的鍵合技術(shù)，采用導(dǎo)熱良好的硅片取代原有的GaAs或藍(lán)寶石襯底，金屬鍵合型LED具有較強(qiáng)的熱耗散能力。
!/u 4）開發(fā)大功率紫外光LED
W&R67ff| Ky,upU UV LED配上三色熒光粉提供了另一個(gè)方向，白光色溫穩(wěn)定性較好，使其在許多高品質(zhì)需求的應(yīng)用場合（如節(jié)能臺燈）中得到應(yīng)用。這樣的技術(shù)雖然有種種的優(yōu)點(diǎn)，但仍有相當(dāng)?shù)募夹g(shù)難度，這些困難包括配合熒光粉紫外光波長的選擇、UV LED制作的難度及抗UV封裝材料的開發(fā)等等。
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tS_/z buN@O 7\ 5）開發(fā)新的熒光粉和涂敷工藝
Qkx*T9W ej&.tNvq 熒光粉質(zhì)量和涂敷工藝是確保白光LED質(zhì)量的關(guān)鍵。熒光粉的技術(shù)發(fā)展趨勢是開發(fā)納米晶體熒光粉、表面包覆熒光粉技術(shù)，在涂布工藝方面發(fā)展熒光粉均勻的熒光板技術(shù)，將熒光粉與封裝材料混合技術(shù)。
saP%T~ 8>#ZU]cG 6）開發(fā)新的封裝材料
Ao}<a1f #)xlBq4cZ 開發(fā)新的安裝在LED芯片的底板上的高導(dǎo)熱率的材料，從而使LED芯片的工作電流密度約提高5～10倍。就目前的趨勢看來，金屬基座材料的選擇主要是以高熱傳導(dǎo)系數(shù)的材料為組成，如鋁、銅甚至陶瓷材料等，但這些材料與芯片間的熱膨脹系數(shù)差異甚大，若將其直接接觸很可能因?yàn)樵跍囟壬邥r(shí)材料間產(chǎn)生的應(yīng)力而造成可靠性的問題，所以一般都會在材料間加上兼具傳導(dǎo)系數(shù)及膨脹系數(shù)的中間材料作為間隔。
'uDx$AkY {}ADsh@7d' 原來的LED有很多光線因折射而無法從LED芯片中照射到外部，而新開發(fā)的LED在芯片表面涂了一層折射率處于空氣和LED芯片之間的硅類透明樹脂，并且通過使透明樹脂表面帶有一定的角度，從而使得光線能夠高效照射出來，此舉可將發(fā)光效率大約提高到了原產(chǎn)品的2倍。
aK;O zB) ksOsJ~3) 目前對于傳統(tǒng)的環(huán)氧樹脂其熱阻高，抗紫外老化性能差，研發(fā)高透過率，耐熱，高熱導(dǎo)率，耐UV和日光輻射及抗潮的封裝樹脂也是一個(gè)趨勢。
t,JX6ni { .A N4 在焊料方面，要適應(yīng)環(huán)保要求，開發(fā)無鉛低熔點(diǎn)焊料，而且進(jìn)一步開發(fā)有更高導(dǎo)熱系數(shù)和對LED芯片應(yīng)力小的焊料是另一個(gè)重要的課題。
/KF@Un_Ow sL~4 ~178 7）多芯片型RGB LED
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>Rpor !Md6Lh%-w 將發(fā)出紅、藍(lán)、綠三種顏色的芯片，直接封裝在一起配成白光的方式，可制成白光發(fā)光二極管。其優(yōu)點(diǎn)是不需經(jīng)過熒光粉的轉(zhuǎn)換，藉由三色晶粒直接配成白光，除了可避免因?yàn)闊晒夥坜D(zhuǎn)換的損失而得到較佳的發(fā)光效率外，更可以藉由分開控制三色發(fā)光二極管的光強(qiáng)度，達(dá)成全彩的變色效果(可變色溫)，并可藉由芯片波長及強(qiáng)度的選擇得到較佳的演色性。利用多芯片RGB LED封裝型式的發(fā)光二極管，很有機(jī)會成為取代目前使用CCFL的
LCD背光模塊中
背光源的主要光源之一。
zQ{bMj< S (?R!y - 8）多芯片集成封裝
w)zJ $l rDbtT*vN 目前大尺寸芯片封裝還存在發(fā)光的均勻和散熱等問題亟待解決。采用常規(guī)芯片進(jìn)行高密度組合封裝的功率型LED可以獲得較高發(fā)光通量，是一種切實(shí)可行很有推廣前景的功率型LED固體光源。小芯片工藝相對成熟，各種高熱導(dǎo)絕緣夾層的鋁基板便于芯片集成和散熱。
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