hyperlith光刻功能

極紫外光刻 (EUV)  

嚴格的 OPC 和源優(yōu)化

嵌入式多層鏡面缺陷任意缺陷幾何形狀

可檢測性

印刷適性

離軸陰影效應、HV 偏差（包括非常量散射系數(shù)）吸收器堆棧分析（EM-Stack）吸收器輪廓（側(cè)壁和拐角圓化吸收體缺陷EUV 的 OPC（小面積）多層鏡面結(jié)構(gòu) (PSM)

雙重圖案  

光刻蝕刻 光刻蝕刻

光刻凍結(jié) 光刻蝕刻

側(cè)壁間隔物

晶圓形貌效應

非平面光阻

首次接觸時的潛在特征  

相移掩模版

交替 PSM：移位和不移位開場之間的強度不平衡

相位缺陷

濕法蝕刻/雙溝槽

無鉻相光刻

衰減相移掩模版

脫保護收縮的 NTD

SEM 誘導收縮

EUV 和 DUV 的隨機效應

PEB 擴散效應

表面抑制

溫度效應

側(cè)壁分析

內(nèi)外角偏差分析

拉回

最高虧損

薄膜堆疊分析

BARC 優(yōu)化

多層鏡反射率

抵抗厚度效應