氧化物光學(xué)薄膜材料的應(yīng)用波段從紫外到中紅外，其吸收機(jī)制主要考慮電子躍遷吸收、吸收邊緣、雜質(zhì)和缺陷吸收、晶體振動(dòng)吸收。 ICm/9Onh&  
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薄膜的吸收包括源材料雜質(zhì)吸收、材料本征吸收和鍍膜過程引入的吸收。由于目前鍍膜源材料都有很高的純度，源材料雜質(zhì)的吸收相對(duì)很小，可以忽略。 f0ME$:2  
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又因?yàn)楣鈱W(xué)薄膜應(yīng)用的波段一般是遠(yuǎn)離材料的電子躍遷或晶格振動(dòng)區(qū)，本征吸收相對(duì)于鍍膜工藝產(chǎn)生的吸收損耗一般來說要小得多，因此不作重點(diǎn)研究，光學(xué)薄膜產(chǎn)生吸收損耗的主要機(jī)制有以下幾個(gè)因素！ 8dCa@r&tz  
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1.薄膜材料成份非化學(xué)計(jì)量比。真空物理氣相沉積光學(xué)薄膜一般采用熱蒸發(fā)、濺射等方式將鍍膜材料轉(zhuǎn)變?yōu)闅庀嗪笤诠鈱W(xué)基片上沉積形成薄膜。薄膜氣相沉積易于形成非化學(xué)計(jì)量比的化合物膜層。各種鍍膜方式都可能使待鍍膜的化合物材料分解導(dǎo)致形成非化學(xué)計(jì)量比的化合物膜層。例如，蒸發(fā)或?yàn)R射TiO薄膜，薄膜很容易失氧而在基片上生成TOx，并不是希望得到的TO2薄膜，這種薄膜在使用的波段可能產(chǎn)生很大的吸收損耗，因此人們一般在薄膜沉積過程中在真空中充入氧氣來氧化TOx薄膜得到TO2薄膜。 JG*