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晶合“一種光刻工藝的仿真處理方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)”專利公布

發(fā)布:cyqdesign 2023-12-04 22:42 閱讀:1098
據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告,合肥晶合集成電路股份有限公司申請一項名為“一種光刻工藝仿真處理方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)”,公開號CN117148689A,申請日期為2023年11月。 ld@f:Zali  
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專利摘要顯示,本發(fā)明提供一種光刻工藝的仿真處理方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì),其通過獲取初始光強分布數(shù)據(jù),并基于該數(shù)據(jù)通過調(diào)整散射條的寬度和/或光罩的透光率,以獲得對應(yīng)的中間光強分布數(shù)據(jù)。接著,基于中間光強分布數(shù)據(jù)獲取對應(yīng)的目標寬度和目標透光率,從而將光刻工藝中的散射條寬度和/或光罩透光率調(diào)整至目標值,完成光刻工藝的仿真處理。該專利技術(shù)能夠改善在光刻工藝中出現(xiàn)的光阻凸起問題,提升了工藝的精準性和產(chǎn)品的質(zhì)量。
關(guān)鍵詞: 光刻工藝仿真光強
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最新評論

ttb2016 2023-12-04 22:43
改善在光刻工藝中出現(xiàn)的光阻凸起問題!
tassy 2023-12-04 23:53
可提升工藝的精準性和產(chǎn)品的質(zhì)量。
unlogical 2023-12-05 02:56
不知道是用在多少精度的工藝上
phisfor 2023-12-05 07:01
好厲害好厲害
likaihit 2023-12-05 07:39
有具體的權(quán)利書
redplum 2023-12-05 07:40
很好的技術(shù)
liulin666 2023-12-05 08:21
晶合“一種光刻工藝的仿真處理方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)”
雨后無文 2023-12-05 08:30
提升了工藝的精準性和產(chǎn)品的質(zhì)量 U hhmG+  
camelots 2023-12-05 08:33
1uS-Tx  
G P[r^Z  
改善在光刻工藝中出現(xiàn)的光阻凸起問題!
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11yy 2023-12-05 08:39
提供一種光刻工藝的仿真處理方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì),其通過獲取初始光強分布數(shù)據(jù),并基于該數(shù)據(jù)通過調(diào)整散射條的寬度和/或光罩的透光率,以獲得對應(yīng)的中間光強分布數(shù)據(jù)。
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