鍍膜工藝:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高溫鍍膜:320度,無IAD,有這種現(xiàn)狀)
PRT +mT 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高溫鍍膜:120度,IAD,有這種現(xiàn)狀)
SY8C4vb'h mcok/,/ H:\k}*w Ct|A:/z( 2BobH_H FgI3 鍍膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
=":,.Ttq41 鍍膜下機(jī)確認(rèn)無這種現(xiàn)象,放置24H后,表面開始吸附東西。