鍍膜工藝:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高溫鍍膜:320度,無IAD,有這種現(xiàn)狀)
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CkU 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高溫鍍膜:120度,IAD,有這種現(xiàn)狀)
;m{[9i`2 jZe]zdml Nr6YQH*[ E+UOuf*( xL=g(FN(6L 24>{T5E 鍍膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
~iydp 鍍膜下機確認無這種現(xiàn)象,放置24H后,表面開始吸附東西。