近日，中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所信息光學(xué)與光電技術(shù)實(shí)驗(yàn)室提出了一種基于生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)（GAN）的極紫外（EUV）光刻掩模相位型缺陷檢測(cè)技術(shù)，相關(guān)成果以“Phase defect characterization using generative adversarial networks for extreme ultraviolet lithography”為題發(fā)表在Applied Optics上。 <(o) * Zmo  
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多層膜缺陷是指由EUV光刻掩模基底上的凸起、凹陷以及在沉積過程中落上的顆粒引起的多層膜變形，會(huì)同時(shí)影響掩模反射光的振幅與相位。由于EUV光刻的曝光波長很短，僅納米尺寸的多層膜缺陷就能夠使反射光產(chǎn)生明顯的相位變化，降低成像質(zhì)量。為了實(shí)現(xiàn)掩模缺陷補(bǔ)償與修復(fù)，需要對(duì)這種缺陷進(jìn)行準(zhǔn)確檢測(cè)。 s !HOrhV  
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多層膜缺陷的表面形貌可用現(xiàn)有的檢測(cè)設(shè)備，如原子力顯微鏡進(jìn)行測(cè)量，但僅測(cè)量表面形貌難以滿足缺陷仿真分析與精確補(bǔ)償?shù)男枨�。多層膜缺陷的三維形貌難以用非破壞性的測(cè)量方式直接測(cè)量。針對(duì)該問題，研究團(tuán)隊(duì)提出了基于生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)的極紫外光刻掩模相位型缺陷檢測(cè)技術(shù)，能夠通過掩模缺陷的空間像重建掩模缺陷的三維形貌。通過調(diào)整光照角度，拍攝多組掩模空間像。利用擴(kuò)張殘留網(wǎng)絡(luò)（DRN）將不同光照角度的掩模缺陷空間像映射到缺陷形貌參數(shù)，并采用一系列GANs來輔助缺陷表征模型的學(xué)習(xí)。另外，考慮了不同光照角度下的EUV光刻空間像信息，使得獲得的缺陷形貌參數(shù)更適合缺陷光學(xué)效應(yīng)的仿真，更符合精確補(bǔ)償?shù)男枨蟆Ｓ脟?yán)格電磁場(chǎng)仿真工具進(jìn)行仿真的結(jié)果表明該方法可高精度地重構(gòu)出EUV光刻掩模相位型缺陷的三維形貌參數(shù)。 !o`h*G-x  
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