垂直溝道納米器件因其對(duì)柵長限制小、布線靈活及便于3D一體集成等優(yōu)勢(shì)，在1納米邏輯器件/10納米 DRAM存儲(chǔ)器及以下技術(shù)代的集成電路先進(jìn)制造技術(shù)方面具有巨大應(yīng)用潛力。 n.n;'p9t@  
2Kovvh y#  
要實(shí)現(xiàn)垂直溝道納米晶體管的大規(guī)模制造，須對(duì)其溝道尺寸和柵極長度進(jìn)行精準(zhǔn)控制。對(duì)于高性能垂直單晶溝道納米晶體管，現(xiàn)階段控制溝道尺寸的最好方法是采用先進(jìn)光刻和刻蝕技術(shù)，但該技術(shù)控制精度有限，導(dǎo)致器件性能波動(dòng)過大，不能滿足集成電路大規(guī)模先進(jìn)制造的要求。 BSYJ2  
v8W