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雙束聚焦離子束FIB詳細(xì)介紹

發(fā)布：探針臺(tái) 2020-02-26 14:34 閱讀：2444
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FIB技術(shù)的在芯片設(shè)計(jì)及加工過(guò)程中的應(yīng)用介紹： s\Pt,I@Y_  
1.IC芯片電路修改 ]oas  
用FIB對(duì)芯片電路進(jìn)行物理修改可使芯片設(shè)計(jì)者對(duì)芯片問(wèn)題處作針對(duì)性的測(cè)試,以便更快更準(zhǔn)確的驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案。 若芯片部份區(qū)域有問(wèn)題,可通過(guò)FIB對(duì)此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問(wèn)題的癥結(jié)。 |j~EV~A J  
FIB還能在最終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時(shí)間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計(jì)方案修改次數(shù)，縮短研發(fā)時(shí)間和周期。 1ntkM?  
2.Cross-Section 截面分析 !&a;P,_Fb  
用FIB在IC芯片特定位置作截面斷層,以便觀測(cè)材料的截面結(jié)構(gòu)與材質(zhì),定點(diǎn)分析芯片結(jié)構(gòu)缺陷。 n,?IcDU~m  
3.Probing Pad 7moElh v  
在復(fù)雜IC線路中任意位置引出測(cè)試點(diǎn), 以便進(jìn)一步使用探針臺(tái)(Probe- station) 或 E-beam 直接觀測(cè)IC內(nèi)部信號(hào)。 G