芯片測(cè)試操作步驟技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素: 針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中測(cè)試芯片中存在的上述問(wèn)題,現(xiàn)提供一種旨在對(duì)芯片執(zhí)行測(cè)試的同時(shí)可將測(cè)試形成的測(cè)試結(jié)果進(jìn)行保存,從而有效減少數(shù)據(jù)存儲(chǔ)消耗的時(shí)間,有效的提高了測(cè)試效率的芯片測(cè)試的方法。 具體技術(shù)方案如下: 一種芯片測(cè)試的方法,應(yīng)用于芯片測(cè)試系統(tǒng)中,通過(guò)所述芯片測(cè)試系統(tǒng)對(duì)芯片執(zhí)行測(cè)試以及將所述芯片的測(cè)試結(jié)果進(jìn)行保存,所述測(cè)試芯片系統(tǒng)中包括多個(gè)測(cè)試項(xiàng),其中,于所述測(cè)試系統(tǒng)中創(chuàng)建一測(cè)試線程,以及一存儲(chǔ)線程; 預(yù)先在所述測(cè)試系統(tǒng)的一個(gè)處理周期內(nèi),定義所述測(cè)試線程執(zhí)行測(cè)試的測(cè)試時(shí)間以及所述存儲(chǔ)線程執(zhí)行存儲(chǔ)的存儲(chǔ)時(shí)間,其中所述處理周期等于所述測(cè)試時(shí)間和所述存儲(chǔ)時(shí)間之和; 包括以下步驟: 步驟S1、所述測(cè)試線程被啟動(dòng)后,在所述測(cè)試時(shí)間內(nèi)調(diào)用所述測(cè)試項(xiàng)對(duì)所述芯片執(zhí)行測(cè)試,以獲得測(cè)試結(jié)果; 步驟S2、所述測(cè)試線程于測(cè)試結(jié)束后,調(diào)用所述存儲(chǔ)線程,所述存儲(chǔ)線程在所述存儲(chǔ)時(shí)間內(nèi)對(duì)所述測(cè)試結(jié)果進(jìn)行保存。 優(yōu)選的,獲取所述測(cè)試時(shí)間以及所述存儲(chǔ)時(shí)間的方法為: 步驟A1、將所述測(cè)試線程單獨(dú)執(zhí)行測(cè)試占用的時(shí)間定為R; 步驟A2、將所述存儲(chǔ)線程單獨(dú)保存所述測(cè)試結(jié)果占用的時(shí)間定為S; 步驟A3、根據(jù)R/(R+S),獲取所述測(cè)試線程的權(quán)重; 步驟A4、根據(jù)S/(R+S),獲取所述存儲(chǔ)線程的權(quán)重; 步驟A5、根據(jù)所述測(cè)試線程的權(quán)重、所述存儲(chǔ)線程的權(quán)重以及所述處理周期,分別獲取所述測(cè)試線程的所述測(cè)試時(shí)間和所述存儲(chǔ)線程的所述存儲(chǔ)時(shí)間。 優(yōu)選的,所述測(cè)試系統(tǒng)包括一處理器,所述測(cè)試系統(tǒng)包括一內(nèi)存以及外部存儲(chǔ)單元; 在所述測(cè)試線程調(diào)用所述測(cè)試項(xiàng)對(duì)所述測(cè)試芯片執(zhí)行測(cè)試,并將所述測(cè)試結(jié)果記錄在所述內(nèi)存中,所述存儲(chǔ)線程于所述內(nèi)存中將所述測(cè)試結(jié)果存儲(chǔ)至所述外部存儲(chǔ)單元。 |