芯片失效分析方法，過(guò)程及實(shí)驗(yàn)室介紹 T!
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芯片常用分析手段： Uoe;4ni  
1、X-Ray 無(wú)損偵測(cè)，可用于檢測(cè) !K-lO{Z^  
IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線(xiàn)的完整性 y3{'s>O6  
PCB制程中可能存在的缺陷如對(duì)齊不良或橋接 0}C> e`<'  
開(kāi)路、短路或不正常連接的缺陷 [KR|m,QWp  
封裝中的錫球完整性 1G$fU zS  
2、SAT超聲波探傷儀/掃描超聲波顯微鏡 ecDni
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可對(duì)IC封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行非破壞性檢測(cè), 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如﹕ {+%|nOWV  
晶元面脫層 Yj3j?.JJk  
錫球、晶元或填膠中的裂縫 2$?bLvk  
封裝材料內(nèi)部的氣孔 b;G3
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各種孔洞如晶元接合面、錫球、填膠等處的孔洞 0tyoH3o/d  
3、SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀 2fFZ70
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可用于材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察，元素組成常規(guī)微區(qū)分析，精確測(cè)量元器件尺寸 ]rGZ  
4、三種常用漏電流路徑分析手段：EMMI微光顯微鏡/OBIRCH鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測(cè)試/LC 液晶熱點(diǎn)偵測(cè) G_vWwH4XtL  
EMMI微光顯微鏡用于偵測(cè)ESD,Latch up, I/O Leakage, junction defect, hot electrons , oxide current leakage等所造成的異常。 bnHQvCO3$  
OBIRCH常用于芯片內(nèi)部高阻抗及低阻抗分析，線(xiàn)路漏電路徑分析.利用OBIRCH方法，可以有效地對(duì)電路中缺陷定位，如線(xiàn)條中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻區(qū)等；也能有效的檢測(cè)短路或漏電,是發(fā)光顯微技術(shù)的有力補(bǔ)充。 XHs>Q>`  
LC可偵測(cè)因ESD,EOS應(yīng)力破壞導(dǎo)致芯片失效的具體位置。 +z}O*,M"q  
5、Probe Station 探針臺(tái)/Probing Test探針測(cè)試，可用來(lái)直接觀測(cè)IC內(nèi)部信號(hào) h+=xG|1R[5  
6、ESD/Latch-up靜電放電/閂鎖效用測(cè)試 w.Cw)#N  
7、FIB做電路修改 <qJI]P  
FIB聚焦離子束可直接對(duì)金屬線(xiàn)做切斷、連接或跳線(xiàn)處理. 相對(duì)于再次流片驗(yàn)證, 先用FIB工具來(lái)驗(yàn)證線(xiàn)路設(shè)計(jì)的修改, 在時(shí)效和成本上具有非常明顯的優(yōu)勢(shì). $c"byQ[3S