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漏電測(cè)試微光顯微鏡(EMMI)

發(fā)布：探針臺(tái) 2020-02-19 14:39 閱讀：2074
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漏電測(cè)試微光顯微鏡(EMMI) i`k{}!F  
對(duì)于半導(dǎo)體組件之故障分析而言，微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)已被學(xué)理證實(shí)是一種相當(dāng)有用且效率極高的診斷工具。該設(shè)備具備高靈敏度的CCD，可偵測(cè)到組件中電子－電洞對(duì)再結(jié)合時(shí)所發(fā)射出來的光子，能偵測(cè)到的波長(zhǎng)約在 350 nm ~ 1100 nm 左右。目前此設(shè)備全方面的應(yīng)用于偵測(cè)各種組件缺點(diǎn)所產(chǎn)生的漏電流，如： Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage 等。 pE&'Xr#P>  
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偵測(cè)的到亮點(diǎn)之情況： /:S&1'=  
會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺點(diǎn) - Junction Leakage; Contact spiking; Hot electrons; Latch-Up; Gate oxide defects / Leakage(F-N current); Poly-silicon filaments; Substrate damage; Mechanical damage及Junction Avalanche等。原來就會(huì)有的亮點(diǎn) - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse biased diodes(break down) 等。 :{7gZ+*  
1、EMMI可廣泛應(yīng)用于偵測(cè)各種組件缺陷所產(chǎn)生的漏電流，包括閘極氧化層缺陷(Gate oxide defects)、靜電放電破壞(ESD Failure)、閂鎖效應(yīng)(Latch Up)、漏電(Leakage)、接面漏電(Junction Leakage) 、順向偏壓(Forward Bias)及在飽和區(qū)域操作的晶體管，可藉由EMMI定位，找熱點(diǎn)(Hot Spot 或找亮點(diǎn))位置，進(jìn)而得知缺陷原因，幫助后續(xù)進(jìn)一步的失效分析。 vG