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任務(wù)
半導(dǎo)體術(shù)語(yǔ)解釋 （八） （最大值－最小值）/（2*平均值），有兩種均勻性：一種是一片Wafer的均勻性（within wafer），測(cè)得五個(gè)點(diǎn)，然后得到最大值最小值和平均值，再安公式計(jì)算。另一種是Wafe之間的均勻性(wafer to wafer)，同樣測(cè)得最大值和最小值和平均值再計(jì)算均勻性。 245) USG (Undoped SiO2) 即沒(méi)有攙雜的二氧化硅，LPCVD制得，一般沉積在BPSG下面，以防止BPSG中的P元素滲透到Si表面，影響組件的特性。 246) Up Time 使用率 表示機(jī)臺(tái)可以run貨的時(shí)間，包含run貨的時(shí)間及機(jī)臺(tái)lost時(shí)間，即除down機(jī)時(shí)間 247) Vacuum真空 真空系針對(duì)大氣而言，一特定空間內(nèi)的部份氣體被排出，其壓力小于1大氣壓。 表示真空的單位相當(dāng)多，在大氣的情況下，通稱(chēng)為l大氣壓，也可表示為760torr或760mmHg或14.7psi。 真空技術(shù)中，將真空依壓力大小分為4個(gè)區(qū)域： 1.粗略真空(Rough Vacuum) : 760~1 torr 2.中度真空(Medium Vacuum): 1~10-3 torr |
