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半導(dǎo)體術(shù)語解釋 （六） Pilot Wafer為試作芯片，并非生產(chǎn)芯片 (Prime Wafer)。在操作機器前，為了確定機器是否正常所作的試片，或機器作完維修、保養(yǎng)后所作的測試用芯片均稱為Pilot Wafer, 由于Pilot Wafer 所作出來的結(jié)果將決定該批的制程條件，故處理Pilot Wafer時， 所抱持的態(tài)度必須和處理Prime Wafer一樣慎重。 172) Pin Hole 針孔 在光阻制程所謂的針孔，就是在光阻覆蓋時，光阻薄膜無法完全蓋住芯片表面，而留有細小如針孔般的缺陷，在蝕刻制程時，很可能就被蝕刻穿透，而致芯片的報廢。 在以往使用負光阻制程時，由于負光阻黏稠性較大，覆蓋較薄，因此，容易出現(xiàn)針孔，故有些層次(如 Contact)，必須覆蓋兩次，才能避免針孔的發(fā)生。目前制程大多使用正光阻，覆蓋較原，已無針孔的問題存在，QC亦不做針孔測試。 173) Piranha Clean過氧硫酸清洗 過氧硫酸 (Peroxymonosulfuric Acid)又稱為CARO's acid，其主要由硫酸加雙氧水反應(yīng)生成，反應(yīng)式如下: H2SO4+H2O2 ＜＝＞H2SO5+H2O H2SO5為一強氧化劑，可將有機物氧化分解為CO2+H2O，因此在 IC 制程中常用來去除殘余的光阻，另外對金屬污染及微塵污染也有相當(dāng)好的清洗效果。 Piranha原意為食人魚，在這里則是用來形容過氧硫酸與光阻的間的劇烈反應(yīng)。 174) Planarization 平坦化 平坦化就是把Wafer表面起伏的的介電層外觀，加以平坦的一種半導(dǎo)體制程技術(shù)。 為什么要進行平坦化？影響黃光制程的精確度和分辨率；影響金屬沉積的均勻性；影響金屬的Etching 常見平坦化方法： BPSG:利用高溫?zé)峄亓鳎?/font>Flow和Reflow）原理，用于金屬層前的平坦化。 SOG：即SPiN-ON GLASS,利用旋轉(zhuǎn)涂布的原理，達到局部平坦化，常用于0.35um以上制程的金屬層間的平坦化。 CMP：即Chemical Mechanic Polishing,利用化學(xué)機械研磨原理，達到全面平坦化，常用于0.35um以下制程。 175) Plasma 等離子體 又稱電漿，是一種遭受部分離子化的氣體。藉著在兩個相對應(yīng)的金屬電極板上施以電壓，假如電極板間的氣體分子濃度在某一特定區(qū)間，電極板表面因離子轟擊所產(chǎn)生的二次電子，在電場的作用下，獲得足夠能量，而與電極板間的氣體分子因撞擊而進行解離、離子化、及激發(fā)等反應(yīng)，而產(chǎn)生離子原子原子團及更多的電子，以維持電漿內(nèi)的各粒子的濃度平衡。 176) Plasma Etching電漿蝕刻 在干蝕刻(Dry Etch)技術(shù)中 ，一般多采用電漿蝕刻(Plasma Etching)與活性離子蝕刻(Reactive Ion Etching)，通常電漿蝕刻使用較高的壓力(大于200mT)及較小的RF功率，當(dāng)芯片浸在電漿之中，曝露在電漿的表層原子or分子與電漿中的活性原子接觸并發(fā)生反應(yīng)而形成氣態(tài)生成物而離開晶面造成蝕刻，此類蝕刻即稱之為電漿蝕刻。所謂電漿(Plasma)即為氣體分子在一電場中被游離成離子(正、負電荷)、電子、及中性基(Radical)等，在純化學(xué)反應(yīng)中，吾人取中性基為蝕刻因子，在R.I.E時，取活性離子作為蝕刻因子。 177) PM (Preventive Maintenance)定期保養(yǎng) 設(shè)備正常運轉(zhuǎn)期間停機，實施定期 (每天、每周、每月或每季等)的設(shè)備保養(yǎng)。例如:檢修，上油，潤滑，更換消耗材等。有良好的PM才能發(fā)揮高的設(shè)備運轉(zhuǎn)效率，發(fā)揮設(shè)備最高的使用率。 178) POCl3三氯氧+化磷 一種用做N+擴散用的化合物。 通常以N2為"載氣"(Carrier Gas)，帶著POCl3和O2 (氧氣)一起進入高溫爐管，然后產(chǎn)主下列反應(yīng)： 4POCl3 + 3O2 → 2P2O5 + 6Cl2 5P2O5 + 5Si → 4P + 5SiO2 在反應(yīng)過程中，磷沉淀于硅表面，同時硅表面亦形成氧化層。 179) Poly-Crystalline 多晶體 如果某純物質(zhì)的原子(或分子)的堆積方式不只一種，而是由許多種體積較小，且堆積方面均不同的經(jīng)晶粒 (Grains)所組成時，這種純物質(zhì)結(jié)構(gòu)，我們稱之為“多晶體”。Polysilicon便是一種多晶體。 180) Poly Dope 純的Polysilicon電阻較大,但加入P等Dopant時，Rs可獲得較低的值,以符合器件的要求。 181) Polysilicon 多晶硅 硅(Silicon)是IC制造的主要原料之一。通常其結(jié)構(gòu)都是單晶(單一方向的晶體)。而 Polysilicon也是硅，只是其結(jié)構(gòu)是復(fù)晶結(jié)構(gòu)。即其結(jié)晶的結(jié)構(gòu)是多方向的，而非單一方向。Polysilicon通常用低壓化學(xué)氣相沉積的方法沉積而得。其主要用途在作MOS的閘極及器件單元的連接。 182) Pressure壓力 氣體分子撞擊反應(yīng)室的器壁所產(chǎn)生的力量。氣體分子愈少、壓力愈低。反之氣體分子愈多、壓力愈高。 如壓力的大氣壓力(1 atm)時，表示真空，其壓力單位即為真空度。 1大氣壓=latm=760mmHg水銀柱壓力 |
