芯片測(cè)試術(shù)語介紹CP、FT、WAT CP是把壞的Die挑出來,可以減少封裝和測(cè)試的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。FT是把壞的chip挑出來;檢驗(yàn)封裝的良率。 現(xiàn)在對(duì)于一般的wafer工藝,很多公司多把CP給省了;減少成本。 CP對(duì)整片Wafer的每個(gè)Die來測(cè)試 而FT則對(duì)封裝好的Chip來測(cè)試。 CP Pass 才會(huì)去封裝。然后FT,確保封裝后也Pass。 WAT是Wafer Acceptance Test,對(duì)專門的測(cè)試圖形(test key)的測(cè)試,通過電參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定; CP是wafer level的chip probing,是整個(gè)wafer工藝,包括backgrinding和backmetal(if need),對(duì)一些基本器件參數(shù)的測(cè)試,如vt(閾值電壓),Rdson(導(dǎo)通電阻),BVdss(源漏擊穿電壓),Igss(柵源漏電流),Idss(漏源漏電流)等,一般測(cè)試機(jī)臺(tái)的電壓和功率不會(huì)很高; FT是packaged chip level的Final Test,主要是對(duì)于這個(gè)(CP passed)IC或Device芯片應(yīng)用方面的測(cè)試,有些甚至是待機(jī)測(cè)試; Pass FP還不夠,還需要做process qual 和product qual CP 測(cè)試對(duì)Memory來說還有一個(gè)非常重要的作用,那就是通過MRA計(jì)算出chip level 的Repair address,通過Laser Repair將CP測(cè)試中的Repairable die 修補(bǔ)回來,這樣保證了yield和reliability兩方面的提升。 |