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北京微光顯微鏡EMMI測(cè)試微光,北京微光顯微鏡EMMI公司,檢測(cè) 漏電定位微光顯微鏡(EMMI) 0
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對(duì)于半導(dǎo)體組件之故障分析而言，微光顯微鏡(Emission Microscope, EMMI)已被學(xué)理證實(shí)是一種相當(dāng)有用且效率極高的診斷工具。該設(shè)備具備高靈敏度的CCD，可偵測(cè)到組件中電子－電洞對(duì)再結(jié)合時(shí)所發(fā)射出來(lái)的光子，能偵測(cè)到的波長(zhǎng)約在 350 nm ~ 1100 nm 左右。目前此設(shè)備全方面的應(yīng)用于偵測(cè)各種組件缺點(diǎn)所產(chǎn)生的漏電流，如： Gate oxide defects / Leakage、Latch up、ESD failure、junction Leakage 等。 8iQ8s;@S&>  
偵測(cè)的到亮點(diǎn)之情況： &?59{B.mD  
會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺點(diǎn) - Junction Leakage; Contact spiking; Hot electrons; Latch-Up; Gate oxide defects / Leakage(F-N current); Poly-silicon filaments; Substrate damage; Mechanical damage及Junction Avalanche等。 RDGefxv  
原來(lái)就會(huì)有的亮點(diǎn) - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse biased diodes(break down) 等