化學(xué)機(jī)械拋光液行業(yè)研究 Ti /;|lP@  
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一、行業(yè)的界定與分類 }6F_2S3c  
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（一）化學(xué)機(jī)械拋光 5B_-nYJDt  
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1、化學(xué)機(jī)械拋光概念 + ?[ ACZF  
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化學(xué)機(jī)械拋光（英語：Chemical-Mechanical Polishing，縮寫CMP），又稱化學(xué)機(jī)械平坦化（英語：Chemical-Mechanical Planarization），是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一種技術(shù)，用來對(duì)正在加工中的硅片或其它襯底材料進(jìn)行平坦化處理。 d91I  
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2、CMP工藝的基本原理 qFB9,cUqh  
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基本原理是將待拋光工件在一定的下壓力及拋光液(由超細(xì)顆粒、化學(xué)氧化劑和液體介質(zhì)組成的混合液)的存在 下相對(duì)于一個(gè)拋光墊作旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng),借助磨粒的機(jī)械磨削及化學(xué)氧化劑的腐蝕作用來完成對(duì)工件表面的材料去除,并獲得光潔表面。 }mkA Hmu4  
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3、CMP技術(shù)所采用的設(shè)備及消耗品 $@XPL~4  

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主要包括，拋光機(jī)、 拋光液、拋光墊、后CMP清洗設(shè)備、拋光終點(diǎn)檢測(cè)及工藝控制設(shè)備、廢物處理和檢測(cè)設(shè)備等，其中拋光液和拋光墊為消耗品。 d{vc wZQ  
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4、CMP過程 sASAsGk<  
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過程主要有拋光、后清洗和計(jì)量測(cè)量等部分組成，拋光機(jī)、拋光液和拋光墊是CMP工藝的3大關(guān)鍵要素，其性能和相互匹配決定CMP能達(dá)到的表面平整水平。 g6tWU  
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5、CMP技術(shù)的優(yōu)勢(shì) iPR!JX _  
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   最初半導(dǎo)體基片大多采用機(jī)械拋光的平整方法,但得到的表面損傷極其嚴(yán)重，基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射玻璃SOG(spin-on-glass)、低壓CV D(chemicalvaporde-posit)、等離子體增強(qiáng)CVD、偏壓濺射和屬于結(jié)構(gòu)的濺射后回腐蝕、熱回流、淀積-腐蝕-淀積等方法也曾在IC工藝中獲得應(yīng)用,但均屬局部平面化技術(shù),其平坦化能力從幾微米到幾十微米不等,不能滿足特征尺寸在0.35μm以下的全局平面化要求。1991年IBM首次將化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)成功應(yīng)用到64MbDRAM的生產(chǎn)中，之后各種邏輯電路和存儲(chǔ)器以不同的發(fā)展規(guī)模走向CMP，CMP將納米粒子的研磨作用與氧化劑的化學(xué)作用有機(jī)地結(jié)合起來，滿足了特征尺寸在0.35μm以下的全局平面化要求，CMP可以引人注目地得到用其他任何平面化加工不能得到的低的表面形貌變化。目前，化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)已成為幾乎公認(rèn)為惟一的全局平面化技術(shù)，其應(yīng)用范圍正日益擴(kuò)大。 ^^20vwq  
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（二）化學(xué)機(jī)械拋光液 !8H!Fj`|j  
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1、化學(xué)機(jī)械拋光液概念 )of5229