芯片失效分析常用方式FIB X光probe；RIE；EMMI；decap；IV h:/1X' 3d  
1.OM 顯微鏡觀測，外觀分析 [m'CR 4(|  
2.C-SAM（超聲波掃描顯微鏡） 8I+d)(:  
（1）材料內部的晶格結構，雜質顆粒，夾雜物，沉淀物， p"`
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（2） 內部裂紋。 （3）分層缺陷。（4）空洞，氣泡，空隙等。  >0Ev#cX4  
3. X－Ray 檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。（這幾種是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段） f+Dn9t  
4.SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀（材料結構分析/缺陷觀察，元素組成常規(guī)微區(qū)分析，精確測量元器件尺寸） 7Bz*r0 9S  
5.取die，開封 使用激光開封機和自動酸開封機將被檢樣品(不適用于陶瓷和金屬封裝)的封裝外殼部分去除，使被檢樣品內部結構暴露。 U5/qf8)yO  
6. EMMI微光顯微鏡/OBIRCH鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測試/LC 液晶熱點偵測（這三者屬于常用漏電流路徑分析手段，尋找發(fā)熱點，LC要借助探針臺，示波器） JmOW~W  
7.切割制樣:使用切割制樣模塊將小樣品進行固定，以方便后續(xù)實驗進行 GZ}/leR  
8.去層:使用等離子刻蝕機(RIE)去除芯片內部的鈍化層，使被檢樣品下層金屬暴露，如需去除金屬層觀察下層結構，可利用研磨機進行研磨去層。 %G?K@5?j?  
9. FIB做一些電路修改，切點觀察 {SG>'KXZ  
10. Probe Station 探針臺/Probing Test 探針測試。 VjbG(nB?_  
11. ESD/Latch-up靜電放電/閂鎖效用測試（有些客戶是在芯片流入客戶端之前就進行這兩項可靠度測試，有些客戶是失效發(fā)生后才想到要篩取良片送驗）這些已經提到了多數(shù)常用手段。 I<h=Cj[[  
除了常用手段之外還有其他一些失效分析手段，原子力顯微鏡AFM ，二次離子質譜 SIMS，飛行時間質譜TOF － SIMS ，透射電鏡TEM ， 場發(fā)射電鏡，場發(fā)射掃描俄歇探針， X 光電子能譜XPS ，L-I-V測試系統(tǒng)，能量損失 X 光微區(qū)分析系統(tǒng)等很多手段，不過這些項目不是很常用。