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SEM掃描電子顯微鏡目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用于分析樣品表面形貌，且先進(jìn)的FE-SEM(場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡)可輕易達(dá)到30萬(wàn)倍的放大倍數(shù)。 YNsJZnGr8#  
SEM的高能聚焦電子束掃描樣品表面時(shí)，被激發(fā)的區(qū)域會(huì)產(chǎn)生二次電子。這些二次電子被收集起來(lái)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)，最終以圖像的形式呈現(xiàn)出樣品表面形貌。 Jij*x>K>y  
配備了EDX的SEM還可以進(jìn)行元素成份分析，適用于確定材料組成成份、污染物鑒定以及分析樣品表面元素的相對(duì)濃度。雙束聚焦離子束系統(tǒng)融合了FIB和SEM，在進(jìn)行高精度切割的同時(shí)又可以進(jìn)行SEM成像，是一種非常強(qiáng)大的分析工具。

優(yōu)勢(shì)	局限
NyNXP_8   - 優(yōu)良的空間分辨率 p9{mS7R9T   - 可以與FIB和EDX整合在同一個(gè)系統(tǒng)中 <x>Mo    - 易于操作且分析快速	=fFP5e ['   - 樣品需要適合放入高真空中 d 5:c^`   - 導(dǎo)電性弱的樣品容易在樣品表面產(chǎn)生荷電效應(yīng)

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銅納米孿晶分析 v"Es*-{B  
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主要特點(diǎn): ge8ZsaiU  
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• 專利的TriBETM技術(shù)具有二個(gè)BSE探測(cè)器，位于鏡筒內(nèi)部的In-Beam BSE探測(cè)器接受高角背散射電子和樣品室的BSE探測(cè)器用于探測(cè)大角度范圍的背散射電子。二者結(jié)合，可以提供各種不同襯度的圖像。
• 專利的TriSETM技術(shù)具有二個(gè)SE探測(cè)器，位于鏡筒內(nèi)部的In-Beam SE探測(cè)器用于超高分辨成像。In-Chamber SE探測(cè)器能提供最佳的形貌襯度。
• 電子束減速技術(shù)(BDT)包括了電子束減速模式（BDM），以及在這個(gè)模式下可同步獲取二次電子和背散射電子信號(hào)的高質(zhì)量的透鏡內(nèi)探頭。在電子束減速模式下，通過(guò)加在樣品臺(tái)上的負(fù)偏壓使得電子束在作用到樣品表面前降低能量。最低的著陸電壓可以降低到50eV。低電壓成像可以有效減少在觀察不導(dǎo)電樣品成像時(shí)出現(xiàn)的放電效應(yīng)，也有利于對(duì)那些電子束敏感樣品和未噴鍍處理的樣品的觀察。在這個(gè)模式下，可以達(dá)到對(duì)于表面形貌及成分襯度分析的極限分辨率。
• 新的肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍能使電子束流高達(dá)400nA并能實(shí)現(xiàn)電子束能量的快速改變，可以滿足EDX,EBSD,陰極熒光等分析的需要。

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分析能力

應(yīng)用領(lǐng)域

gp.^~p]x   - 能量色散X射線能譜（EDS/EDX），Oxford Instruments X-MaxN 硅漂移檢測(cè)器（SDD），80mm2探測(cè)器尺寸。

\(2sW^fY   - 材料科學(xué)  MAIA3 在低電壓下有著很好的分辨率，對(duì)納米材料的表征有著極大的優(yōu)勢(shì)。尤其適合各種敏感材料和不導(dǎo)電材料（如陶瓷，聚合物，玻璃，纖維等）。 &&>ekG9@   - 半導(dǎo)體，光電和太陽(yáng)能電池    MAIA3  能被高效地應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)的失效分析中（集成電路，半導(dǎo)體超薄切片檢測(cè)，太陽(yáng)能電池，納米傳感器等）。 YS"=yye3e   - 光刻  MAIA3  非常適合在高能電子束下很容易受到損傷的光刻膠的成像。 pIqeXY   - 生命科學(xué) MAIA3 低電壓下?lián)碛谐�高分辨率，能不需要鍍�?dǎo)電膜進(jìn)行樣品在原始狀態(tài)下的觀察。

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