主要用途 cLf<YF  
X;1yQ|su  
利用X光對樣品內(nèi)部的結(jié)構(gòu)特征進(jìn)行無損檢測； V}Ee1C  
EsS$th)d  
性能參數(shù) (6Ciqf8  
Z(XohWe2  
a)幾何放大倍數(shù)2000倍，整體放大倍數(shù)10000倍； \U3v5|Q  
2?{'(iay  
b)2D檢測尺寸：310mm ×310mm； CTS1."kx1  
PIAE6,*  
c)3D檢測尺寸：210mm ×100mm；樣品厚度：100mm； HbRvU}C1  
xnfJruT  
d)采用數(shù)字平板探測器，灰度等級(jí)不低于16bit，像素尺寸不少于127um，像素不小于1000 x 1000 Pixel； f`)*bx  
U&ytZ7iB  
應(yīng)用范圍 J&iSS9c  
pMJm@f  
1.檢測DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝的半導(dǎo)體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板； Z9.0#Jnu  
/xSFW7d1  
2.檢測器件內(nèi)部芯片大小、數(shù)量、疊die、綁線情況； &1Cs'  
gyb99c,)  
3.檢測芯片crack、點(diǎn)膠不均、斷線、搭線、內(nèi)部氣泡等封裝缺陷，以及焊錫球冷焊、虛焊等焊接缺陷。