主要用途 qU \w=  
Kg{+T`  
當(dāng)氧化層崩潰、靜電放電破壞、閂鎖效應(yīng)時(shí)，產(chǎn)生了過量的電子和空穴結(jié)合并產(chǎn)生躍遷光子，由探測器通過顯微鏡收集這些光子并精確地定位出其位置，通常這個(gè)位置就是存在異常的缺陷位置。 }7b%HTF=  
ROH|PKb7  
\j$&DCv
 
性能參數(shù) HY56"LZ$(}  
L^1NY3=$  
a)InGaAs檢測器，分辨率：320*256 像素； Amtq"<h9a  
AP3a;4Z#  
b)偵測波長范圍900nm - 1700nm LP.]9ut  
5?f ^Rz  
c)像素尺寸：30um x 30um ^ gdaa>L  
jk;j2YNPw  
d)曝光時(shí)間 20ms - 400s =
>m<GvQz  
iDpSj!x/_  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x z<MsKD0Q  
3/P1!:g9  
f)Back side EMMI 2R[:]-b  
&)Q
X7*H  
KqHyG  
應(yīng)用范圍 J"0`%'*/  
Lc}y<=P@  
　1.P-N接面漏電 6,pnw  
Z3Og=XHR  
　2.飽和區(qū)晶體管的熱電子 L
c}LGq!  
y5vvu>nd  
　3.P-N接面崩潰 &5>Kl}7  
EfqX y>W  
　4.閂鎖效應(yīng) Q-(zwAaE
 
,<.V7(|t)  
　5.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā)