FIB X光probe；RIE；EMMI；decap；IV &;bey4_J  
1.OM 顯微鏡觀測，外觀分析 "(iDUl  
2.C-SAM（超聲波掃描顯微鏡） D~FIv  
（1）材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒，夾雜物，沉淀物， /BN=Kl]  
（2） 內(nèi)部裂紋。 （3）分層缺陷。（4）空洞，氣泡，空隙等。 Y4+]5;B8  
3. X－Ray 檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。（這幾種是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段） j/jFS]
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4.SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀（材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察，元素組成常規(guī)微區(qū)分析，精確測量元器件尺寸） 1#*^+A E  
5.取die，開封 使用激光開封機和自動酸開封機將被檢樣品(不適用于陶瓷和金屬封裝)的封裝外殼部分去除，使被檢樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)暴露。
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6. EMMI微光顯微鏡/OBIRCH鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測試/LC 液晶熱點偵測（這三者屬于常用漏電流路徑分析手段，尋找發(fā)熱點，LC要借助探針臺，示波器） C[';B)a  
7.切割制樣:使用切割制樣模塊將小樣品進行固定，以方便后續(xù)實驗進行 kxR!hA8wv4  
8.去層:使用等離子刻蝕機(RIE)去除芯片內(nèi)部的鈍化層，使被檢樣品下層金屬暴露，如需去除金屬層觀察下層結(jié)構(gòu)，可利用研磨機進行研磨去層。 K^",LCJA  
9. FIB做一些電路修改，切點觀察 1\%@oD_zG  
10. Probe Station 探針臺/Probing Test 探針測試。 dV{mmHL  
11. ESD/Latch-up靜電放電/閂鎖效用測試（有些客戶是在芯片流入客戶端之前就進行這兩項可靠度測試，有些客戶是失效發(fā)生后才想到要篩取良片送驗）這些已經(jīng)提到了多數(shù)常用手段。 j]U~ZAn,K  
除了常用手段之外還有其他一些失效分析手段，原子力顯微鏡AFM ，二次離子質(zhì)譜 SIMS，飛行時間質(zhì)譜TOF － SIMS ，透射電鏡TEM ， 場發(fā)射電鏡，場發(fā)射掃描俄歇探針， X 光電子能譜XPS ，L-I-V測試系統(tǒng)，能量損失 X 光微區(qū)分析系統(tǒng)等很多手段，不過這些項目不是很常用。 Y_6v@Si
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國軟檢測，智能產(chǎn)品檢測實驗室于2015年底實施建設(shè)，共360多平方米。擁有20多套智能產(chǎn)品專用檢測儀器與工具。目前有專業(yè)檢測人員10余名，能夠依據(jù)國際、國內(nèi)和行業(yè)標準實施檢測工作，開展從底層芯片到實際產(chǎn)品，從物理到邏輯的全面的檢測工作，提供芯片預(yù)處理、側(cè)信道攻擊、光攻擊、侵入式攻擊、環(huán)境、電壓毛刺攻擊、電磁注入、放射線注入、物理安全、邏輯安全、功能、兼容性和多點激光注入等安全檢測服務(wù)，同時可開展模擬重現(xiàn)智能產(chǎn)品失效的現(xiàn)象，找出失效原因的失效分析檢測服務(wù)，主要包括點針工作站、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、微漏電偵測系統(tǒng)（EMMI）、X-Ray檢測，缺陷切割觀察系統(tǒng)(FIB系統(tǒng))等檢測試驗。實現(xiàn)對智能產(chǎn)品質(zhì)量的評估及分析，為智能裝備產(chǎn)品的芯片、嵌入式軟件以及應(yīng)用提供質(zhì)量保證。