設(shè)備  OTFG1300    17cm RF源  電子槍，鍍膜材料及IAD參數(shù)：OS-50(BV 400v,BI 550mA    / 硅鋁混合物(BV:300V,BI 450mA) Q\Vgl(;lX  
目前環(huán)測(cè)無問題，但85℃水煮15-20分鐘就會(huì)膜層脫落明顯低于霍爾源所做產(chǎn)品，且強(qiáng)光照射1000小時(shí)膜層脫落，環(huán)測(cè)條件如下： 5r^
(P  
1、高溫高濕存儲(chǔ)：70℃；90+/-5% RH ；72H. SvF<p3  
2、高低溫沖擊：50次；-40℃~100℃； xJ.M;SF4  
T1=T2=0.5H（恒溫時(shí)間）T3=5min（溫度切換時(shí)間） =t?F6)Q  
3、高溫烘烤：100℃，24H 6Z"X}L,*  
環(huán)測(cè)后不可出現(xiàn)膜裂，脫膜和其他膜層異�，F(xiàn)象； Z,PPu&lmE/  
環(huán)測(cè)前后需符合鍍膜附著力測(cè)試要求：同一位置分別用3M膠帶貼緊 _H@DLhH|=  
并迅速撕開重復(fù)三次無膜脫落 6D3B^.rj]  
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求助有沒有朋友使用過此機(jī)臺(tái)做過塑膠鏡片，交流下離子源參數(shù)

硅鋁不開離子源試試

這種條件就該用霍爾源做。 #AY&BWS$  
鍍膜前先用離子源轟擊一下， !5!<C,U  
然后氧化鋁打底， Dw"\/p:-3  
離子源電壓稍微高一點(diǎn)，電流開最大。 Q/Rqa5LI:  
以片子不變形為限

我這里最近也在做這個(gè)實(shí)驗(yàn)，H4 SIO2   6層膜  H4打底，且H4層都比較薄。  會(huì)出現(xiàn)膜裂情況，而且膜裂幾率挺高的。   _Z\

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鍍膜溫度80℃。  是不是得換下試料，或者降低溫度？  溫度越高 結(jié)合力越好？

聽人說樹脂鏡片，  鍍膜設(shè)備要配CP。  我的機(jī)器配的DP，我這正抽空做實(shí)驗(yàn)了。

sosjinyan:我這里最近也在做這個(gè)實(shí)驗(yàn)，H4 SIO2   6層膜  H4打底，且H4層都比較薄。  會(huì)出現(xiàn)膜裂情況，而且膜裂幾率挺高的。   e';_Y>WQy  
鍍膜溫度80℃。  是不是得換下試料，或者降低溫度？  溫度越高 結(jié)合力越好？ (2019-04-30 17:03)  aQ~s`^D  

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如果不掉膜只是裂應(yīng)該是應(yīng)力問題，考慮換材料和調(diào)整蒸發(fā)參數(shù)，樹脂片一定要IAD的

ouyuu:這種條件就該用霍爾源做。 !VK
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鍍膜前先用離子源轟擊一下， }&3~|kP~O  
然后氧化鋁打底， yppo6HGD  
離子源電壓稍微高一點(diǎn)，電流開最大。 u]gxFG"   
以片子不變形為限 (2019-04-27 22:01)  u-C)v*#L  

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謝謝！我先試下，但根據(jù)以往測(cè)試發(fā)現(xiàn)霍爾源做的產(chǎn)品耐高溫性能差一些

zm8339:硅鋁不開離子源試試 (2019-04-24 17:06)  &8 x-o,  

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不開試過了，沒有發(fā)現(xiàn)明顯差異，倒是加大低折射材料的離子束能量有改善，懷疑還是應(yīng)力匹配的問題

hl594566271:如果不掉膜只是裂應(yīng)該是應(yīng)力問題，考慮換材料和調(diào)整蒸發(fā)參數(shù)，樹脂片一定要IAD的 (2019-05-08 17:05)  MFAH%Z$  

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多謝， 準(zhǔn)備換ZRO2。我了解的一個(gè)公司，樹脂鏡片工藝，用的CP泵，沒用離子源。 想問問不用離子源，影響大嗎？   我的機(jī)器倒是配了，霍爾離子源，但是非常不好用，鍍10鍋（AR膜），槍絲就斷了。 我感覺槍絲使用時(shí)間太短了。 e;}7G  

sosjinyan:多謝， 準(zhǔn)備換ZRO2。我了解的一個(gè)公司，樹脂鏡片工藝，用的CP泵，沒用離子源。 想問問不用離子源，影響大嗎？   我的機(jī)器倒是配了，霍爾離子源，但是非常不好用，鍍10鍋（AR膜），槍絲就斷了。 我感覺槍絲使用時(shí)間太短了。 )g#T9tx2D  
 (2019-05-15 11:15)  qwgPk9l  

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不開影響挺大的，折射率、附著力都會(huì)差一點(diǎn)。霍爾源的陰極燈絲只能用那么久，定期更換就行了