c.投影式曝光（projection printing）。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實現(xiàn)曝光。一般掩膜板的尺寸會以需要轉移圖形的4倍制作。優(yōu)點：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影響減小。

投影式曝光分類：

掃描投影曝光（scanning project printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工藝；掩膜板1：1，全尺寸；

步進重復投影曝光（stepping-repeating project printing或稱作stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（i line）～0.25μm（duv）。掩膜板縮小比例（4：1），曝光區(qū)域（exposure field）22×22mm（一次曝光所能覆蓋的區(qū)域）。增加了棱鏡系統(tǒng)的制作難度。

掃描步進投影曝光（scanning-stepping project printing）。90年代末～至今，用于≤0.18μm工藝。采用6英寸的掩膜板按照4：1的比例曝光，曝光區(qū)域（exposure field）26×33mm。優(yōu)點：增大了每次曝光的視場；提供硅片表面不平整的補償；提高整個硅片的尺寸均勻性。但是，同時因為需要反向運動，增加了機械系統(tǒng)的精度要求。

在曝光過程中，需要對不同的參數(shù)和可能缺陷進行跟蹤和控制，會用到檢測控制芯片/控片（monitor chip）。根據(jù)不同的檢測控制對象，可以分為以下幾種：a、顆�？仄�（particle mc）：用于芯片上微小顆粒的監(jiān)控，使用前其顆粒數(shù)應小于10顆；b、卡盤顆粒控片（chuck particle mc）：測試光刻機上的卡盤平坦度的專用芯片，其平坦度要求非常高；c、焦距控片（focus mc）：作為光刻機監(jiān)控焦距監(jiān)控；d、關鍵尺寸控片（critical dimension mc）：用于光刻區(qū)關鍵尺寸穩(wěn)定性的監(jiān)控；e、光刻膠厚度控片（photoresist thickness mc）：光刻膠厚度測量；f、光刻缺陷控片（pdm，photo defect monitor）：光刻膠缺陷監(jiān)控。

舉例：0.18μm的cmos掃描步進光刻工藝。

 光源：krf氟化氪duv光源（248nm）；

數(shù)值孔徑na：0.6～0.7；

焦深dof：0.7μm；

分辨率resolution：0.18～0.25μm（一般采用了偏軸照明oai_off-axis illumination和相移掩膜板技術psm_phase shift mask增強）；

套刻精度overlay：65nm；

產(chǎn)能throughput：30～60wafers/hour（200mm）；

視場尺寸field size：25×32mm；

8.后烘（peb，post exposure baking）

方法：熱板，110～1300c,1分鐘。

目的：a.減少駐波效應；b.激發(fā)化學增強光刻膠的pag產(chǎn)生的酸與光刻膠上的保護基團發(fā)生反應并移除基團使之能溶解于顯影液。

9.顯影（development）

方法：a.整盒硅片浸沒式顯影（batch development）。缺點：顯影液消耗很大；顯影的均勻性差；b.連續(xù)噴霧顯影（continuous spray development）/自動旋轉顯影（auto-rotation development）。一個或多個噴嘴噴灑顯影液在硅片表面，同時硅片低速旋轉（100～500rpm）。噴嘴噴霧模式和硅片旋轉速度是實現(xiàn)硅片間溶解率和均勻性的可重復性的關鍵調節(jié)參數(shù)。c、水坑（旋覆浸沒）式顯影（puddle development）。噴覆足夠（不能太多，最小化背面濕度）的顯影液到硅片表面，并形成水坑形狀（顯影液的流動保持較低，以減少邊緣顯影速率的變化）。硅片固定或慢慢旋轉。一般采用多次旋覆顯影液：第一次涂覆、保持10～30秒、去除；第二次涂覆、保持、去除。然后用去離子水沖洗（去除硅片兩面的所有化學品）并旋轉甩干。優(yōu)點：顯影液用量少；硅片顯影均勻；最小化了溫度梯度。