| cyqdesign |
2017-10-25 11:26 |
硅光子應(yīng)用新進(jìn)展：3D激光寫入數(shù)值孔徑成為關(guān)鍵
近日，來自于法國、卡塔爾、俄羅斯和希臘的科學(xué)家MargauxChanal等人在最新一期的《自然通訊》（NatureCommunications）雜志上發(fā)表了一篇名為《Crossingthethresholdofultrafastlaserwritinginbulksilicon》的論文。論文中表示，之前在硅中進(jìn)行超快速激光寫入的嘗試中，飛秒激光器在結(jié)構(gòu)上無法對體硅進(jìn)行處理的問題得到了突破，采用極端NA值允許激光脈沖可實現(xiàn)足夠的電離破壞硅中化學(xué)鍵，導(dǎo)致硅材料永久性結(jié)構(gòu)改變。 +
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