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cyqdesign 2017-07-06 11:50

長春光機(jī)所 “極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”項目通過驗收

6月21日,“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”國家科技重大專項(02專項)實施管理辦公室組織專家在中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所召開了“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”項目驗收會。評審專家組充分肯定了項目取得的一系列成果,一致同意項目通過驗收,認(rèn)為該項目的順利實施將我國極紫外光刻技術(shù)研發(fā)向前推進(jìn)了重要一步。 UxVxnJ_  
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  極紫外(Extreme Ultraviolet,EUV)光刻是一種采用波長13.5nm極紫外光為工作波長的投影光刻技術(shù),是傳統(tǒng)光刻技術(shù)向更短波長的合理延伸。作為下一代光刻技術(shù),被行業(yè)賦予拯救摩爾定律的使命。極紫外光刻光學(xué)技術(shù)代表了當(dāng)前應(yīng)用光學(xué)發(fā)展最高水平,作為前瞻性EUV光刻關(guān)鍵技術(shù)研究,項目指標(biāo)要求高,技術(shù)難度大、瓶頸多,創(chuàng)新性高,同時國外技術(shù)封鎖嚴(yán)重。 M!b"c4|<  
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  長春光機(jī)所自上世紀(jì)九十年代起專注于EUV/X射線成像技術(shù)研究,著重開展了EUV光源、超光滑拋光技術(shù)、EUV多層膜及相關(guān)EUV成像技術(shù)研究,形成了極紫外光學(xué)的應(yīng)用技術(shù)基礎(chǔ)。2002年,研制國內(nèi)第一套EUV光刻原理裝置,實現(xiàn)了EUV光刻的原理性貫通。2008年國家“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”科技重大專項將EUV光刻技術(shù)列為“32-22nm裝備技術(shù)前瞻性研究”重要攻關(guān)任務(wù)。長春光機(jī)所作為牽頭單位承擔(dān)起了“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”項目研究工作,成員包括中科院光電技術(shù)研究所、中科院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所、中科院微電子研究所、北京理工大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、華中科技大學(xué)。 mA']*)L1  
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  項目研究團(tuán)隊歷經(jīng)八年的潛心鉆研,突破了制約我國極紫外光刻發(fā)展的超高精度非球面加工與檢測、極紫外多層膜、投影物鏡系統(tǒng)集成測試等核心單元技術(shù),成功研制了波像差優(yōu)于0.75 nm RMS 的兩鏡EUV 光刻物鏡系統(tǒng),構(gòu)建了EUV 光刻曝光裝置,國內(nèi)首次獲得EUV 投影光刻32 nm 線寬的光刻膠曝光圖形。建立了較為完善的曝光光學(xué)系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)平臺,圓滿完成國家重大專項部署的研究內(nèi)容與任務(wù)目標(biāo),實現(xiàn)EUV 光學(xué)成像技術(shù)跨越,顯著提升了我國極紫外光刻核心光學(xué)技術(shù)水平。同時,項目的實施形成了一支穩(wěn)定的研究團(tuán)隊,為我國能夠在下一代光刻技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)可持續(xù)發(fā)展奠定堅實的技術(shù)與人才基礎(chǔ)。 6 VuMx7W1  
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  驗收會上,長春光機(jī)所所長賈平誠摯地感謝了與會專家及各合作單位對項目的大力支持。賈平指出從時機(jī)及技術(shù)難度方面考慮,EUV項目的布局正處于窗口期,希望國家給予持續(xù)穩(wěn)定的支持。鼓勵項目參研單位進(jìn)一步發(fā)揮EUV學(xué)科優(yōu)勢,鼓足勇氣并肩奮斗,在后續(xù)支持下取得更好的成果。 $ #F7C[2N  
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  02專項總體組技術(shù)總師、中科院微電子所所長葉甜春做總結(jié)發(fā)言。葉甜春強(qiáng)調(diào),在國際上EUV光刻大生產(chǎn)基地已經(jīng)建立的形勢下,我國EUV光刻研究要繼續(xù)堅持下去,面向未來產(chǎn)業(yè)工程化需求,著力點要放在必須掌握的核心技術(shù)和有可能取得創(chuàng)新的突破點。此外,葉甜春評價光刻機(jī)隊伍是承擔(dān)最核心、最高端、最艱巨任務(wù)的隊伍,也是專項團(tuán)隊中最有戰(zhàn)斗力、最能抗壓、最值得信任的主力部隊。鼓勵項目團(tuán)隊肩負(fù)重大任務(wù)的責(zé)任與使命感,繼續(xù)堅持勇攀高峰。 l)( 3]  
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  02專項光刻機(jī)工程指揮部總指揮、前科技部副部長曹健林到會并致辭。作為國內(nèi)最熟悉EUV光刻的領(lǐng)域?qū)<,曹健林對我國EUV光刻技術(shù)能力的提升感到欣喜,他認(rèn)為中國已初步具備光刻技術(shù)的研發(fā)能力,并向著產(chǎn)業(yè)化目標(biāo)前進(jìn),30年前的“中國光刻夢”正在逐步變?yōu)楝F(xiàn)實,通過我國光刻技術(shù)研發(fā)能力的建設(shè)初步樹立了堅持“中國光刻夢”的信心。
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