中國人又點出一項雷達組件黑科技？
中國電科（CETC）第五十五研究所（NEDI）微信公眾號4月12日報道，該所重點實驗室張凱博士發(fā)表在國際半導體器件權威期刊《IEEE Electron DeviceLetters》上的論文《High-Linearity AlGaN/GaN FinFETs for Microwave Power Applications》即《三維鰭式GaN高線性微波功率器件》被國際半導體行業(yè)著名雜志《Semiconductor Today》進行專欄報道，受到國內外業(yè)界關注。 zd^Q G
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《Semiconductor Today》報道截圖 MNZD-[
張凱博士的論文聚焦重點實驗室近期在GaN高線性技術方面獲得的多個重要突破，創(chuàng)新提出三維GaN FinFET微波功率器件,克服了GaN平面器件瓶頸，極大改善了跨導平整度，大幅提升GaN器件線性度,同時維持高的輸出功率和效率，為下一代移動通信高性能元器件奠定基礎。本成果也是首次展示GaN三維器件相對于二維器件在微波功率應用的優(yōu)勢與潛力，有力推動了GaN三維器件的實用化進程。該成果研制過程中得到國家自然科學基金、預研基金等課題的支持。 :;u?TFCRx
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