22納米及以下制程所需之超紫外線光源開(kāi)發(fā)
超紫外線(Extreme Ultraviolet，EUV)光刻技術(shù)被認(rèn)為是未來(lái)取代深紫外線(Deep Ultraviolet，DUV)且滿足摩爾定律的22納米及以下世代最可行的候選技術(shù)。由于激光發(fā)的等離子體(Laser Produced Plasma，LPP)技術(shù)較易達(dá)到高功率超紫外線光源之需求，且具有較高的超紫外線發(fā)射效率和收集效率，是量產(chǎn)用超紫外線光源系統(tǒng)的最佳選擇。超紫外線光源系統(tǒng)未來(lái)技術(shù)研發(fā)藍(lán)圖提供了一份符合大規(guī)模生產(chǎn)的超紫外線光源系統(tǒng)的詳細(xì)進(jìn)程表和針對(duì)22納米及以下一代制程的技術(shù)要求。 HXV4E\JA
Benjamin Szu-Min Lin, Cymer Southeast Asia Ltd.; David Brandt, Nigel Farrar, Cymer Inc. DS;,@$N_N
超紫外線光刻技術(shù)是被列在國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖(International Techonology Roadmap for Semiconductor，ITRS)中作為193納米浸潤(rùn)式光刻技術(shù)之后可以在2013年滿足出32納米及以下世代最有前景的技術(shù)。然而，針對(duì)某些儲(chǔ)存組件量產(chǎn)時(shí)程，如NAND型閃存，本部分內(nèi)容設(shè)定了隱藏，需要回復(fù)后才能看到
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