高壓LED的基本結(jié)構(gòu)與關(guān)鍵技術(shù)
由于技術(shù)及效率的進(jìn)步，LED的應(yīng)用越來越廣；隨著LED應(yīng)用的升級，市場對于LED的需求，也朝更大功率及更高亮度，也就是通稱的高功率LED方向發(fā)展。 9'B `]/L
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對于高功率LED的設(shè)計(jì)，目前各大廠多以大尺寸單顆低壓DC LED為主，做法有二，一為傳統(tǒng)水平結(jié)構(gòu)，另一則為垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。就第一種做法而言，其制程和一般小尺寸晶粒幾乎相同，換句話說，兩者的剖面結(jié)構(gòu)是一樣的，但有別于小尺寸晶粒，高功率LED常常需要操作在大電流之下，一點(diǎn)點(diǎn)不平衡的P、N電極設(shè)計(jì)，都會導(dǎo)致嚴(yán)重的電流叢聚效應(yīng)（Current crowding），其結(jié)果除了使得LED晶片達(dá)不到設(shè)計(jì)所需的亮度外，也會損害晶片的可靠度（Reliability）。 h376Be {P
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