等離子體源（Plasma Sources）原理
平行平板等離子體源（電容耦合） 電容耦合等離子體源采用直徑300mm的兩圓型平行平板作為上下電極，平板間距離從30mm到100mm可調(diào)。射頻電源頻率為13.56 MHz，通過配網(wǎng)耦合到上下極板上。樣品采用電阻式加熱，最高加熱溫度600℃，均勻性較好；為了獲得更均勻的氣場(chǎng)，上極板采用淋浴頭型多孔結(jié)構(gòu)。 <IMG alt="" src="http://1883.img.pp.sohu.com.cn/images/2010/11/25/14/1/6_12d38afd334g214.jpg" onload=imgresize(this); border=0 0px? auto="auto" 10px; ZOOM: 1; TEXT-ALIGN: center?><DIV 0px? auto="auto" 10px; TEXT-ALIGN: center?>微波等離子體 微波等離子體的放電原理與微波離子源基本相同，也同樣可以利用微波電子回旋共振(ECR)技術(shù)來維持對(duì)反應(yīng)氣體的輝光放電，對(duì)控制薄膜的成分和鍍膜內(nèi)應(yīng)力的較為靈活，它具有運(yùn)行氣壓低(10-1 Pa量級(jí))、等離子體密度高(1011～1012 cm-3)、電離度高(約10%)、反應(yīng)粒子活性高、離子能量低、無高能粒子損傷、且無內(nèi)電極放電、沒有污染、磁場(chǎng)約束、減少等離子體與反應(yīng)室壁的相互作用、薄膜雜質(zhì)含量少等許多其它工藝無法相比的優(yōu)點(diǎn)，因而具有低溫下制備均勻、致密、光滑、純凈的高品質(zhì)功能性薄膜的巨大潛力。 詳情請(qǐng)參考 http://opturn.blog.sohu.com/entry/8463781/
|