解析硅襯底上GaN基LED的研制動向
Ⅲ 族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，以及高功率高頻電子器件。然而由于缺乏合適的襯底，目前高質(zhì)量的GaN膜通常都生長在藍(lán)寶石或SiC襯底上，但是這兩種襯底部都比較昂貴，尤其是碳化硅，而且尺寸都比較小。藍(lán)寶石還有硬度極高和不導(dǎo)電的缺點(diǎn)。為克服上述缺點(diǎn)，人們在用硅作襯底生長GaN方面一直不斷地進(jìn)行探索。由于GaN材料的電熒光對晶體缺陷并不敏感，因此人們預(yù)期在Si襯底上異質(zhì)外延生長Ⅲ族氮化物發(fā)光器件在降低成本方面具有明顯的技術(shù)優(yōu)勢。 B(xN Gs
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人們還期待使用Si襯底今后還有可能將光發(fā)射器與硅電子學(xué)集成起來，將加速和擴(kuò)大氮化鎵在光電子和微電子方面的應(yīng)用。 ; bHV
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