| cyqdesign |
2011-01-21 21:15 |
日本Phoeton公司展示SiC半導(dǎo)體用激光退火裝置
日本Phoeton公司在目前正舉辦的“INTER NEPCON”（2011年1月19～21日，東京有明國(guó)際會(huì)展中心）上，介紹了SiC半導(dǎo)體用激光退火裝置。該裝置設(shè)想用于背面電極中采用的金屬層的歐姆（Ohmic）化。據(jù)Phoeton介紹，該公司預(yù)定在2011年2月提供首臺(tái)SiC半導(dǎo)體用激光退火裝置。另外，還預(yù)定在2012年開始供貨定位為“量產(chǎn)機(jī)型”的裝置。 }d.R=A9L
wCmwH=O
Phoeton公司擁有從2009年就開始供貨硅半導(dǎo)體用激光退火裝置的業(yè)績(jī)。這是一種IGBT等縱型構(gòu)造元件的制造工藝中所需要的、用于使晶圓背面實(shí)現(xiàn)活性化的裝置。利用通過該裝置積累的經(jīng)驗(yàn)，Phoeton此次開發(fā)出了SiC半導(dǎo)體專用裝置。 *3"C"4S
r }hj,Sq'
Phoeton公司表示，硅半導(dǎo)體用途是對(duì)整個(gè)晶圓進(jìn)行退火，而SiC半導(dǎo)體用途則要求“對(duì)晶圓的一部分進(jìn)行局部退火”。而原來硅半導(dǎo)體專用裝置的激光照射方法無法滿足該要求，因而Phoeton此次對(duì)激光照射方法進(jìn)行了全面改進(jìn)。 )_j.0a
&<_s XHg<x
硅半導(dǎo)體專用裝置在圓盤狀的大工作臺(tái)上沿圓周方向排列多個(gè)硅晶圓，在高速轉(zhuǎn)動(dòng)該工作臺(tái)的同時(shí)照射激光。然后從工作臺(tái)的圓周側(cè)開始,以直徑約為100μm的激光光斑（Laser Spot）為中心進(jìn)行掃描，從而對(duì)整個(gè)硅晶圓進(jìn)行退火。而此次推出的SiC半導(dǎo)體專用裝置無需轉(zhuǎn)動(dòng)SiC晶圓，而是采用Galvano光學(xué)掃瞄儀來掃描激光束。據(jù)Phoeton公司介紹，采用該方法可以對(duì)晶圓的一部分進(jìn)行局部激光照射。 Z?nM t
)%^
| |