| pengfei3321 |
2010-04-18 01:49 |
透明導(dǎo)電膜
真正進(jìn)行透明導(dǎo)電薄膜材料的研究工作還是19世紀(jì)末，當(dāng)時(shí)是在光電導(dǎo)的材料上獲得很薄的金屬薄膜。經(jīng)歷一段很長(zhǎng)時(shí)間后的第二次世界大戰(zhàn)期間，關(guān)于透明導(dǎo)電材料的研究才進(jìn)入一個(gè)新的時(shí)期，于是開發(fā)了由寬禁帶的n型簡(jiǎn)并半導(dǎo)體SnO2材料，主要應(yīng)用于飛機(jī)的除冰窗戶玻璃。在1950年，第二種透明半導(dǎo)體氧化物In2O3首次被制成，特別是在In2O3里摻入錫以后，使這種材料在透明導(dǎo)電薄膜方面得到了普遍的應(yīng)用，并具有廣闊的應(yīng)用前景。 ??摻錫氧化銦（即Indium Tin Oxide, 簡(jiǎn)稱ITO）材料是一種n型半導(dǎo)體材料，由于具有高的導(dǎo)電率、高的可見光透過率、高的機(jī)械硬度和化學(xué)穩(wěn)定性，因此它是液晶顯示器（LCD）、等離子顯示器（PDP）、電致發(fā)光顯示器（ EL/OLED）、觸摸屏（Touch Panel）、太陽能電池以及其它電子儀表的透明電極最常用的材料。 hTv*4J&@|
1. ITO薄膜的基本性能 ?? kP('X/
（1）、ITO薄膜的基本性能 ??ITO（In2O3:SnO2=9:1）的微觀結(jié)構(gòu)，In2O3里摻入Sn后，Sn元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形式存在，因?yàn)镮n2O3中的In元素是三價(jià)，形成SnO2時(shí)將貢獻(xiàn)一個(gè)電子到導(dǎo)帶上，同時(shí)在一定的缺氧狀態(tài)下產(chǎn)生氧空穴，形成1020至1021cm-3的載流子濃度和10至30cm2/vs的遷移率。這個(gè)機(jī)理提供了在10-4Ω.cm數(shù)量級(jí)的低薄膜電阻率，所以ITO薄膜具有半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能。 ?? hUvA;E(qD
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ITO是一種寬能帶薄膜材料，其帶隙為3.5-4.3ev。紫外光區(qū)產(chǎn)生禁帶的勵(lì)起吸收閾值為3.75ev，相當(dāng)于330nm的波長(zhǎng)，因此紫外光區(qū)ITO薄膜的光穿透率極低。同時(shí)近紅外區(qū)由于載流子的等離子體振動(dòng)現(xiàn)象而產(chǎn)生反射，所以近紅外區(qū)ITO薄膜的光透過率也是很低的，但可見光區(qū)ITO薄膜的透過率非常好。 ?? l >
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由以上分析可以看出，由于材料本身特定的物理化學(xué)性能，ITO薄膜具有良好的導(dǎo)電性和可見光區(qū)較高的光透過率。 ?? TK'y-
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